九十奈米光刻機多次曝光就可以生產七奈米晶片。

中中國產光刻機已經可以生產十四奈米晶片，生產七奈米晶片應該是技術上有些問題待解決，稍微攻克一下，今年年底或明年初就能生產七奈米晶片了

中中國產90nm光刻機是完全中中國產嗎，如果是，那生產出更高製程的光刻機理論上也是可行的，只是技術水準低點，但是全配套產業璉都有，需要在每個環節上進行突破和技術提升，能這樣理解嗎？

絕對可以，不是說90nm光刻機只能生產90nm的晶片，光刻機出來後，晶片代工廠的工藝很重要。

比如荷蘭阿斯麥的極紫光科技，3nm的晶片只能是臺積電生產，而同樣的光刻機三星只能生產5+奈米晶片，而英特爾7nm都過不了關。

我想只要把90奈米的光線分成6分就可以達到14奈米的效果了，如何分成6分呢，要刻的上面鋪設6條1奈米絲線，90奈米的光線照射上面，正好就每條絲線被分隔開來，很好理解，畢竟光線只能穿透沒有遮擋的區域，被絲線遮擋的線路上，光線就無法穿透。那麼1奈米的絲線從哪找呢，這個可以自己生產。第二種方法就是找14奈米的舊晶片，把上面塑膠熔化掉，把14奈米的舊架構拿出來，放在要刻的表面，然後直接用90奈米的光刻機照射放有14奈米的舊架構上面，那麼映射出來的就是14奈米的架構。同理，放個4奈米的舊架構，那麼照射刻出來就是4奈米，以此類推。買個別人的手機從裡面就能搞到一箇舊晶片，拆除，溶解，或者框架

這個好比用腳踏車能不能跑一百公里？當然可以啊。只是成本更高，良品率很低！又好比28奈米晶片也能做手機晶片，只是佔用空間很大，發熱嚴重，執行效率低而已。在市場上沒有任何競爭力。

做是能做，透過加工工藝的調整可以做，但是精度達不到容易照偏了，對不齊，偏一點就廢很多個晶片，容錯率極低，良品率很難從加工技術上保證。

90nm光刻機是乾式法光刻機，改裝成溼法浸潤法就可以生產14nm晶片的。上海現在能生產14nm晶片量產有可能用的是阿斯麥爾DUV光刻機採用N+1技術實現的，因為DUV光刻機的光源不是來自美國，阿斯麥爾是可以賣給中國的，而EUV光刻機的光源來自美國技術，對中國封鎖的。

目前中國已經投入量產的最先進光刻機是90奈米光刻機，雖然28奈米光刻機已經實現了技術上的突破，但目前還處於測試階段，因為良品率相對比較低，並沒有投入量產當中。

對此有些網友可能就產生一些大膽的想法，我們能不能使用純中中國產90奈米光刻機來製造14奈米的晶片呢？

首先可以肯定地告訴大家答案，不可能。

可能有些朋友會說，用90奈米光刻機經過工藝上的改進以及多次曝光之後生產14奈米的晶片沒有問題，但這只是理論上的理想值，現實當中並不可行。

這個先給大家普及一個最基本的常識，那就是光刻機的波長和精度是兩碼事。

提到光刻機，我們正常所說的工藝一般指的是它的精度也就是解析度，比如中中國產90奈米光刻機也就是90奈米解析度。

但實際上90奈米精度的光刻機它的波長並不是90奈米，而是比90奈米大很多。

目前市場上的光刻機分為兩大類，一類是EUV光刻機，還有一種是DUV光刻機，其中EUV光刻機只有荷蘭的ASML掌握了技術，其他國家並沒有掌握。

目前中中國產光刻機屬於DUV光刻機，DUV光刻機光源為準分子鐳射，根據技術不同，DUV光刻機波長可以分為365奈米、248奈米、193奈米、等效134奈米。

目前中中國產90nmDUV光刻機波長應該是在193奈米到248奈米之間。

那為什麼我們又說中中國產光刻機最先進達到90奈米呢？其實這裡面除了波長之外，還需要透過物鏡以及光源來達到提升精度的目的。

但是目前中中國產物鏡以及光源同樣存在很大的挑戰，而全球最頂尖的物鏡以及光源生產商，比如德國蔡司以及美國的crymer，他們是不可能將最先進的物鏡以及光源出口給我們的，光靠中中國產供應商提供短期內很難實現光刻機精度的提升。

所以想要用中中國產光刻機來製造14奈米晶片幾乎不可能，要是有可能我們現在就不至於這麼頭疼了。

可能有些朋友會說，用90奈米光刻機經過多次曝光之後同樣可以生產出14奈米晶片，但是在這裡面很多人可能忽略了幾個問題。

第1個是成本問題。

假如利用90奈米光刻機經過多次曝光生產14奈米晶片，其成本將會迅速上升，有可能成本是普通14nm奈米晶片成本的好幾倍，最終生產出來的晶片沒有任何市場優勢了，企業也不可能做這種虧本生意的。

第2個是良品率的問題。

就算中國經過多種努力之後，真的能夠用90奈米光刻機生產14奈米晶片了，但是良品率絕對不會很高，良品率能夠達到10%已經非常不錯了，如此低的良品率不僅大大提升企業的成本，關鍵是有沒有廠家願意採購這種晶片是一個大問題。

所以綜合各種因素之後，想利用90奈米中中國產光刻機來製造實施奈米晶片基本不可能。

目前唯一有希望的是，等中中國產28nm光刻機量產之後，確實有可能用於生產14奈米甚至7奈米的晶片。

目前中中國產28奈米光刻機已經實現技術突破，目前還在測試階段，按照上海微電子原來的計劃，據說2022年底之前會量產，但是按照目前的進度來看，估計短期內很難實現量產，有可能需要等到2023年甚至2024年。

但既然中國已經實現了28奈米光刻機技術的突破，未來28奈米光刻機量產遲早會到來。

一旦中國掌握了成熟的28奈米光刻機之後，再配合晶片製造工藝的改進，再經過多次曝光之後是可以用於生產14奈米光刻機的，甚至有可能用於生產7nm奈米晶片。

要知道臺積電第1代7奈米晶片其實也是用DUV光刻機實現的，當時他們採用的是ASML的ARFi型號DUV光刻機，這個光刻機的最大解析度是38奈米。

而據說上海微電子研發出來的新一代光刻機最大解析度也是達到38奈米，如此一來，確實有很大的希望可以用於生產14奈米晶片和7奈米晶片。

當然除了依賴光刻機的技術進步之外，目前市場上還有一種提升晶片效能的路線，那就是晶片堆疊，也就是把兩個晶片疊在一起，從而達到提升晶片效能的目的，這種路線已經被證實是可行的。

不可以，甚至不能生產28奈米。

目前大陸生產的14奈米晶片，重點突破原因是去年服貿會引進的蝕刻機裝置(注意這裡液體蝕刻，而非光刻)。這讓最新一代的38奈米光刻機有了用武之地(同樣這並不依賴90奈米光刻機)。

至於10納米制程以內，需要有更先進的光刻機裝置。而且要市場化，還必須量產，試驗生產和量產至少還有一兩年。所以說路漫漫其修遠兮，早著呢。

能生產就是好的，發展到今天，多少東西不是一步一步的實現的，空間站西方不帶我們玩，現在我們玩的嗨了。憂患意識存在是對的，但我們還要看到積極的一方面，各行各業都做好自己的工作，愛國愛人民，團結一致，一定會衝破西方的阻隔。