晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規則的、週期性的重複排列的，一種結構貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶、矽單晶、岩鹽單晶等。多晶是由大量微小的單晶隨機堆砌成的整塊材料。實際的晶體絕大部分是多晶，如各種金屬材料和電子陶瓷材料。由於多晶中各晶粒排列的相對取 向各不相同，其宏觀性質往往表現為各向同性，外形也不具有規則性。
半導體材料矽、鍺等都屬金剛石結構。金剛石結構可以看成是沿體對角線相互錯開四分之一對角線長度的面心立方元胞套構而成的。
晶面與晶向
晶體具有各向異性的特徵，在研究晶體的物理特徵時，通常必須標明是位於什麼方位的面上或沿晶體的什麼方向，為此引入晶面與晶向的概念。為了便於確定和區別晶體中不同方位的晶向和晶面，國際上通用密勒指數來統一標定晶向指數與晶面指數。
晶向指數
以晶胞的某一陣點O為原點，過原點O設定座標軸X、Y、Z，以晶胞點陣向量的長度作為座標軸的長度單位；過原點O作一平行於待定晶向的直線，在該直線上選取距原點O最近的一個陣點，確定此點的3個座標值；將這3個座標值化為最小整數u，v，w，加以方括號。[u v w]即為待定晶向的晶向指數。
晶向指數代表所有相互平行、方向一致的晶向。
晶面指數
在點陣中設定參考座標系，設定方法與確定晶向指數時相同；選出晶面族中不經過原點的晶面，確定該晶面在各座標軸上的截距；取各截距的倒數；將三倒數化為互質的整數比，並加上圓括號，即表示該晶面的指數，記為( h k l )。
當晶面的某一截距為負數時，在相應的指數上部加“-”號。當晶面與某一座標軸平行時，則認為晶面與該軸的截距為∞，其倒數為0。
晶面指數所代表的不僅是某一晶面，而是代表所有相互平行的晶面。
晶體中的缺陷
按在空間的幾何構型可將缺陷分為點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。
01
點缺陷
點缺陷是以晶體中空位、間隙原子、雜質原子為中心，在一個或幾個晶格常數的微觀區域內，晶格結構偏離嚴格週期性而形成的畸變區域。
02
線缺陷
晶體內部偏離週期性點陣結構的一維缺陷為線缺陷。晶體中最重要的一種線缺陷是位錯。
03
面缺陷和體缺陷
對於晶體來講，還存在面缺陷（層錯）和體缺陷（包裹體）等。由於堆積次序發生錯亂形成的缺陷叫做堆垛層錯，簡稱層錯。層錯是一種區域性的缺陷，在層錯以外的原子都是有規則排列的，它是一種面缺陷。當摻入晶體中的雜質超過晶體的固溶度時，雜質將在晶體中沉積，形成體缺陷。
晶體中的雜質
實踐表明，極微量的雜質和缺陷，能夠對半導體材料的物理性質和化學性質產生決定性的影響。
施主雜質
向矽中摻入磷，磷原子佔據了矽原子的位置，其結果是形成一個正電中心和一個多餘的價電子。這種雜質，我們稱它為施主雜質或n型雜質。
受主雜質
向矽中摻入硼，硼原子佔據了矽原子的位置，其結果是形成一個負電中心和一個多餘的空位。這種雜質，我們稱它為受主雜質或p型雜質。
現今，300mm的wafer技術已經成熟，隨著直徑的增大，其製造難度也相應提高。
生長單晶矽
目前製備單晶矽的主要方法有柴氏拉晶法（即CZ法）和懸浮區熔法，85%以上的單晶矽是採用CZ法生長出來的。
單晶爐
單晶爐可分為四個部分：爐體、機械傳動系統、加熱溫控系統以及氣體傳送系統。 爐體包括了爐腔、籽晶軸、石英坩堝、摻雜勺、籽晶罩、觀察窗幾個部分。爐腔是為了保證爐內溫度均勻分佈以及很好的散熱；籽晶軸的作用是帶動籽晶上下移動和旋轉；摻雜勺內放有需要摻入的雜質；籽晶罩是為了保護籽晶不受汙染。
機械傳動系統主要是控制籽晶和坩堝的運動。為了保證Si溶液不被氧化，對爐內的真空度要求很高，一般在5Torr以上，加入的惰性氣體純度需在99.9999%以上。
晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規則的、週期性的重複排列的，一種結構貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶、矽單晶、岩鹽單晶等。多晶是由大量微小的單晶隨機堆砌成的整塊材料。實際的晶體絕大部分是多晶，如各種金屬材料和電子陶瓷材料。由於多晶中各晶粒排列的相對取 向各不相同，其宏觀性質往往表現為各向同性，外形也不具有規則性。
半導體材料矽、鍺等都屬金剛石結構。金剛石結構可以看成是沿體對角線相互錯開四分之一對角線長度的面心立方元胞套構而成的。
晶面與晶向
晶體具有各向異性的特徵，在研究晶體的物理特徵時，通常必須標明是位於什麼方位的面上或沿晶體的什麼方向，為此引入晶面與晶向的概念。為了便於確定和區別晶體中不同方位的晶向和晶面，國際上通用密勒指數來統一標定晶向指數與晶面指數。
晶向指數
以晶胞的某一陣點O為原點，過原點O設定座標軸X、Y、Z，以晶胞點陣向量的長度作為座標軸的長度單位；過原點O作一平行於待定晶向的直線，在該直線上選取距原點O最近的一個陣點，確定此點的3個座標值；將這3個座標值化為最小整數u，v，w，加以方括號。[u v w]即為待定晶向的晶向指數。
晶向指數代表所有相互平行、方向一致的晶向。
晶面指數
在點陣中設定參考座標系，設定方法與確定晶向指數時相同；選出晶面族中不經過原點的晶面，確定該晶面在各座標軸上的截距；取各截距的倒數；將三倒數化為互質的整數比，並加上圓括號，即表示該晶面的指數，記為( h k l )。
當晶面的某一截距為負數時，在相應的指數上部加“-”號。當晶面與某一座標軸平行時，則認為晶面與該軸的截距為∞，其倒數為0。
晶面指數所代表的不僅是某一晶面，而是代表所有相互平行的晶面。
晶體中的缺陷
按在空間的幾何構型可將缺陷分為點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。
01
點缺陷
點缺陷是以晶體中空位、間隙原子、雜質原子為中心，在一個或幾個晶格常數的微觀區域內，晶格結構偏離嚴格週期性而形成的畸變區域。
02
線缺陷
晶體內部偏離週期性點陣結構的一維缺陷為線缺陷。晶體中最重要的一種線缺陷是位錯。
03
面缺陷和體缺陷
對於晶體來講，還存在面缺陷（層錯）和體缺陷（包裹體）等。由於堆積次序發生錯亂形成的缺陷叫做堆垛層錯，簡稱層錯。層錯是一種區域性的缺陷，在層錯以外的原子都是有規則排列的，它是一種面缺陷。當摻入晶體中的雜質超過晶體的固溶度時，雜質將在晶體中沉積，形成體缺陷。
晶體中的雜質
實踐表明，極微量的雜質和缺陷，能夠對半導體材料的物理性質和化學性質產生決定性的影響。
施主雜質
向矽中摻入磷，磷原子佔據了矽原子的位置，其結果是形成一個正電中心和一個多餘的價電子。這種雜質，我們稱它為施主雜質或n型雜質。
受主雜質
向矽中摻入硼，硼原子佔據了矽原子的位置，其結果是形成一個負電中心和一個多餘的空位。這種雜質，我們稱它為受主雜質或p型雜質。
現今，300mm的wafer技術已經成熟，隨著直徑的增大，其製造難度也相應提高。
生長單晶矽
目前製備單晶矽的主要方法有柴氏拉晶法（即CZ法）和懸浮區熔法，85%以上的單晶矽是採用CZ法生長出來的。
單晶爐
單晶爐可分為四個部分：爐體、機械傳動系統、加熱溫控系統以及氣體傳送系統。 爐體包括了爐腔、籽晶軸、石英坩堝、摻雜勺、籽晶罩、觀察窗幾個部分。爐腔是為了保證爐內溫度均勻分佈以及很好的散熱；籽晶軸的作用是帶動籽晶上下移動和旋轉；摻雜勺內放有需要摻入的雜質；籽晶罩是為了保護籽晶不受汙染。
機械傳動系統主要是控制籽晶和坩堝的運動。為了保證Si溶液不被氧化，對爐內的真空度要求很高，一般在5Torr以上，加入的惰性氣體純度需在99.9999%以上。