必須能，其實現在美帝已經別想靠斷供完全遏制中國晶片行業發展，就算想他們也不可能完全做到，那樣做是殺敵一千，自損八百，資本主義社會都要評估經濟利益的，全球經濟一體化是美帝和西方搞出來的，中國在這基礎上發展壯大，結果美帝和西方害怕了，就想透過斷供來制約中國發展，已經太遲了，不可否認的是他們已經高度依賴中國的廉價供應鏈，完全和中國脫鉤只會讓他們自己更痛苦，華人自給自足的能力是有目共睹的，人口紅利和市場擺在那裡，應該說中國為全世界的經濟發展起到了不可磨滅的作用，要不是中國這個高速增長的發動機，西方世界的經濟早都提前衰退了，現在還想用這種下三濫的手段來遏制中國發展，只能說假以時日來看現在的做法絕對是搬石頭砸自己腳。

半導體中中國產替代是一個非常重要的話題，因為它關係到我們國家的產業安全和經濟發展。隨著全球半導體市場的不斷擴大，大陸的光刻機和光刻膠等關鍵材料的供應已經成為制約我們國家產業升級和技術進步的瓶頸之一。

儘管存在著一些挑戰，但是中中國產替代是可行的。以下是一些可能有用的措施：

加強技術研發和創新：我們需要加強對半導體行業相關技術的研究和開發，提高自主創新能力，從而降低對進口材料的依賴性。

加強國際合作和交流：我們可以透過國際合作和交流，引進國外先進的技術和材料，提高自身的技術水平和競爭力。

加快中中國產化程序：政府和企業可以透過加快中中國產化程序，提高自身的生產效率和質量水平，從而緩解對進口材料的依賴性。

尋求大陸外資源：我們可以透過尋求大陸外的資源，比如政府的支援、企業的投資、大陸外的技術合作等，來提高自身的生產能力和技術水平。

加強人才培養和引進：我們需要加強對半導體行業相關專業人才的培養和引進，提高行業整體的人才素質和競爭力。

綜上所述，雖然面臨著一些挑戰和困難，但是中中國產替代是可行的。我們需要採取積極的措施，加強技術研發和創新，加強國際合作和交流，加速中中國產化程序，並加強人才培養和引進。只有這樣，我們才能夠更好地應對半導體中中國產替代所帶來的挑戰，推動中國的半導體產業向更高水平發展。

不是能不能打，而是被迫必須打。舉一個例子，30年前我工作的時候，一個6米直徑的隧洞，最好用挖掘機。但是，那個時候我們沒有這個能力。現在，10_20米直徑的挖掘機，我們國家都可以製造。相信，有3到5年的時間，晶片問題一定能夠解決。要相信中國科技人員的能力和意志。

以我看中中國產替代必須在近幾年實現，因為國家把研製高科技技術方面的投資列為頭等大事，每年投資幾千億，從祖國的高科技產業鏈中中國產化之後，外國的晶片等公司都得破產，因為中國的晶片產業能白菜價出售，國外的就不能，因為他們成本太高。

臺積電掌門人最近說了中芯國際的產品是他們五六年前水平，說明我們能夠生產五六年前工藝水平的產品。夠了，材料差一點那要看工匠的水平了，工匠中國從來不缺。斷供雖然影響我們高階電子產品出口，但是國內使用的高科技產品應該可以提供支援，手機只是一個消費類商品不用在意。這一次政府機構改革把科技發展規劃提升到黨中央直接管理有什麼問題不能解決？五年後應該可以看到結果。

7奈米以上的Arf級光刻膠中中國產替代已經送樣確認，量產已經在路上了！

28奈米光刻機其實也在試產，以前買的還能頂一頂，中中國產替代應該也快了！

臺積電的張忠謀說大陸的製程落後臺積電5～6年，按中國速度，估計3-4年就能趕上世界先進水平！

投降還是奮起直追，傻子都能知道選哪條路，被人掐著脖子的滋味不好受，誰都知道反過來掐住對方的脖子，對方才能夠尊重你，所以必須打

當然能。兩彈當時從資料丶技術人員到原材料加工試驗裝置一系列亊可謂一窮二白，天下無難亊，咬定青山不放鬆，還是能一達目的的。只是，晶片對整個經濟和整體科技影響太大。摩亇定律的速度變化很快，另闢蹊徑的可能也存在，所以，在晶片追趕過程可能比兩彈更艱難，投入更大，成果更難予料。也可能EUⅤ我們達到了，人家又弄岀更先進的東西。但這些更先進的技術只能體現在產品競爭上，而對國家安全倒不是致命的。即使新品競爭，也只是在手機等更新換代快的實用品上，對自動駕駛，武器更新及網路建設上有速度高低之分，而無致命落後。美西方已基本割裂閹割了全球化，即使實用品競爭也非以前劇烈。重要的是武器建設這一塊，關鍵在可靠性。現在中國現有IT系統大多用的是美企產品，均留有後門，對整個國民經濟危害極大，隱患很多，急需用中中國產來更替，這樣的市場，給了中國企業產品跌代發展機會。綜上所述，中國晶片業前途光明，我們國家國運還是昌盛的！

華人能做好的洽洽是被西方封鎖的東西。中國半導體在六、七十年代是不錯的，正是因為依賴了西方產品而逐漸落後了。只我們堅定信心，持之以恆搞研發，我相信，在不久的將來，中國半導體產業一定能趕上並超越西方國家。

當年造原子彈時，美蘇兩個大國都對我們封鎖，我們不是也造出來了嗎？只要華人認真起來，沒什麼事情能難倒華人。

這樣的話題沒啥意思。因為不管美國和西方斷供什麼，我們都得過自己的日子吧，都得往前走吧。科技獨立自主是唯一可靠的道路，不走行嗎！

光刻機7um以下暫時對我們是短板。米限制的是3um及以下晶片，對華為等損失較大。目前世界上用途最廣，用量最大的是14um及以上產品，7um上已攻破，也只是產能問題。米國在14um上因長期放棄生產，這方面是短板，世界上我們產能佔優勢。14um晶片在軍工、衛星、導彈及汽車等上先進，夠用。老米都得進口中國的。

中國溼刻機是世界最先進的。臺積電在用。

光刻膠已研究成功幾年，只是量產未全跟上，部分還得從日韓進口。卡不到我們。晶片設計、封裝中國不落後。

晶片生產路綫不只荷蘭，臺積電那一種，大陸正集中各研究單位與相關大專院校攻關，希望的暑光不久將顯現。

我們也有反制措施，商務部公佈稀土金屬對美斷供，F35一架用稀土量很大，美有稀土資源，但高含量少，生產提練技朮還得求中國，要攻克此技朮，5一10年再說。另，環保對美困撓也大。美在我們宣佈反制後，雖然可從其盟友轉購，美除成本增加外，我們還有辦法讓老米難受。

以上內容可從大陸各主流媒體“科技欄”查到。

不能明打，要暗打，目前，必須將光刻膠和光刻機以外的所有裝置全部掌握並實行中中國產化，以便為中國軍事晶片的生產服務，據我所知，中國生產的“光刻膠”顆粒度較大，必須先予以攻克，這是通往高階晶片的必經之路。

能不能打都得打！

高階光刻機禁售，高階光刻膠禁售，先進製程晶片限制。。。還有很多東西呢

特種氣體，大尺寸矽片，清洗除膠等裝置，都被限制了，而且是歐美日本等聯合起來限制中國半導體產業。

EDA軟體也是問題，高階人才更是問題。中國半導體產業困難重重。

沒有退路，給錢妥協都不行，必須自力更生獨立自主埋頭苦幹全面發展。

彎道超車思路要不得，沒有彎道！投機取巧糊弄一時解決不了根本問題。

華人必須行！

中央科技委員會的成立和科技部重組，舉國力量，攻堅克難，一定能行。

再給中國半導體產業十年左右發現時間，2035年之前就可以和美帝國主義極其走狗們掰手腕！

半導體中中國產替代不是打與不打的問題！華人民一定要硬氣一點，必須調集一切資源把別人不肯給的技術自己搞出來，要發揚毛時代兩彈一星的精神，就是捆緊褲腰帶也要搞出讓它國刮目相看的硬技術！

能。肯定能。光刻機，光刻膠這些都能夠克服。只是時間長短的問題。問題是肯定能夠解決的。

光刻機作為晶片產業的核心裝備，有人稱它為“人類最精密複雜的機器”。同時，光刻機也被稱為半導體工業CROWN上的明珠。光刻機產業鏈主要包括上游裝置及材料、中游光刻機生產及下游光刻機應用三大環節。光刻機技術極為複雜，在所有半導體制造裝置中技術含量最高。主要涉及系統整合、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術，生產一臺光刻機往往涉及到上千家供應商。

目前，光刻機市場競爭格局明確，主要由阿斯麥、日本尼康和佳能三家把持，其中阿斯麥更是全球絕對龍頭，市佔率83.3%，幾乎壟斷了高階光刻機（EUV）市場。日本尼康和佳能產品主要為中低端機型。中中國產光刻機領域中，上海微電子一枝獨秀。中中國產光刻機市場前景廣闊，同時，為了避免在晶片產能爬坡時被外界的裝置供應“卡脖子”，中中國產光刻機正在逐步突破。近年來，中國科技取得了巨大突破，五年內有望解決高階晶片短缺問題。

現代社會離不開晶片的支援，任何的智慧終端產品都需要搭載晶片，而光刻機就是製造晶片的重要工具。在晶片製造過程中，需要將設計好的晶片圖案復刻在晶圓表面，但即便是28nm，14nm的成熟晶片也會整合幾十億根電晶體。如何在有限的單位面積內曝光更多的電晶體數量，讓每根電晶體縱橫交錯，甚至在上百個層級中錯落有致，這就需要光刻機運用深紫外或極紫外光源來實現了。以EUV光刻機為例，波長為13.5nm，運用多重曝光可以輕鬆完成7nm及以下的高階晶片製造。只不過目前只有荷蘭ASML一家公司掌握EUV光刻機量產技術，也是許多國家爭相突破和發展的目標。

“10nm”“7nm”“5nm”這些詞大家想必都不陌生。2018年，中微半導體成功研製7nm的刻蝕機，這是中中國產造芯的一大進步。（但是成功研製刻蝕機並不代表我們就有能夠製造7nm製程的晶片的實力，原因後面會講到。）這些數字指的是什麼？為什麼我們需要所謂7nm的光刻機呢？

晶片界有一個著名的定律——摩爾定律，即積體電路上可以容納的電晶體數目大約每24個月增加一倍，當然對應的理論效能也能增加一倍。但如何在同樣尺寸的晶片上增加電晶體數量呢？當然就是把電晶體做小，提高電晶體密度。

“7nm”中的數字最初指的就是電晶體中的溝道長度，它也是區分半導體加工技術換代的重要標誌（當然現在的命名更多的是代表技術迭代，其實是要長於7nm的）。想把電晶體越做越小，自然需要更精密的刻刀——光刻機，所謂7nm光刻機就是光刻機能刻蝕的最大解析度。

除了光學設計部分的難題，一臺光刻機需要實現的還有大量挑戰極限的事情。比如鏡片吸收光會產生熱量，因而要對系統進行冷卻，那如何解決過程中的振動導致精度問題呢?高解析度的光刻自然需要高解析度的光刻膠，如何製備呢？錫微流體如何精確控制大小與流速？整個體系如何確保高精密的機械控制？如何保證整體的可靠性呢？這一切問題都需要系統中任一部分完美配合才能達到，因此EUV光刻機要比你想象的大——大約一輛公共汽車那麼大。整個機器包含10萬個部件和2公里長的電纜。每臺機器發貨需要40個集裝箱、3架貨機或者20輛卡車。

而且，要製造晶片僅有一臺光刻機可不夠，它的工作環境非常挑剔。首先光刻需要的房間全部為純淨的黃光，因為短波長的光會造成光刻膠變性，無法實現功能。因此黃光對於光刻，就像暗房對於膠片一樣。此外，光刻所需的無塵環境要求每立方米的空氣中不能有超過10個顆粒，並且顆粒大小小於0.5微米，每小時要淨化30萬立方米的空氣。廠房對地基要求也很嚴格，不能有任何微小的振動，因而某種意義上講廠房需要類似“懸浮”。光刻需要的電能也達到非常恐怖的量級，一臺EUV工作24小時，耗電量達到3萬度。這就是為什麼我們擁有了7nm的刻蝕能力，也不等於能夠製造7nm的晶片。毫不誇張地說，光刻機是在挑戰人類文明的極限，是人類工藝的巔峰之作。

02光 刻 膠

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指透過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，在半導體工業、PCB、平板顯示等領域得到廣泛應用。目前，全球缺芯背景下晶圓廠產能擴張正逐步迎來落地，半導體光刻膠市場需求穩步向上。光刻膠同樣是半導體行業的關鍵技術之一，屬於原材料的一種，而且和光刻機的聯絡非常密切。光刻膠作為一種光敏化學材料，需要塗抹在晶圓表面，用於保護襯底基座，並且在接收光刻機的曝光光源時承擔媒介的作用，將晶片圖案轉移到晶圓上。

中國光刻膠產業鏈中，上游主要為原材料及裝置，包括樹脂、溶劑、單體、光引發劑、生產裝置以及檢測裝置等；中游為光刻膠，主要包括PCB光刻膠、面板光刻膠、半導體光刻膠；下游為應用領域，光刻膠廣泛應用於PCB、半導體、面板顯示、晶片等。目前，光刻膠生產製造主要被日本JSR、東京應化、信越化學、住友化學等製造商所壟斷，尤其在高解析度的KrF和ArF光刻膠領域，其核心技術基本由美國和日本製造商所掌握。中國本土企業在光刻膠市場的份額較低，與國外光刻膠製造商仍存在差距。資料顯示，東京應化市場佔比最大達27%，杜邦、JSR、住友化學市場佔比分別為17%、13%、13%。