2017-2018年是中中國產儲存技術的爆發年。
http://www.zhiding.cn/zdnet/17awards.shtml
2017年凌雲獎分為基礎設施、企業應用、工作空間、方案與案例、產業生態等5大類100多個細分類別。企業級儲存作為基礎設施重要元件，凌雲獎評選出2017在儲存領域具備技術突破、產品創新和行業洞察等產品和解決方案。
所選產品是在最近一年儲存領域各個廠商新技術、產品、趨勢的釋出。凌雲獎結合業內各方技術專家的專業判斷、使用者的調查，選擇出在SCM、中中國產儲存晶片、全快閃記憶體陣列、軟體定義儲存、物件儲存、超融合、資料保護、容災、備份、固態盤、磁碟等領域的創新產品，為企業IT決策者和商業決策者提供有意義、有價值的產品和技術選型指導。
我們看到在2017年，儲存核心技術的中中國產化浪潮到來，包括中中國產化並且首款商用NVMe SSD主控晶片產品推出，包括從中中國產CPU到晶片、橋接晶片、BIOS、儲存管理軟體等基於自主研發的企業級儲存陣列推出。
2017年11月，憶芯科技成功推出了國內首款商用NVMe SSD主控晶片STAR1000，並被業界主流SSD廠商所選用。STAR1000實現順序讀寫效能分別高達3GB/s和2GB/s，隨機讀寫效能分別高達350K和300K IOPS ，支援最新NVMe1.2協議（StarNVMeÒ技術）和主流MLC、3D TLC顆粒（StarFLashÒ技術StarLDPCÒ技術）。
2017年11月，宏杉科技宣佈了採用了由國防科技大學自主研製的“飛騰FT-1500A”處理器的MS3000G2-FT企業級儲存。該產品具備企業級儲存功能特性，可為政府、企業、國防、軍工等多個重要行業使用者的關鍵業務提供儲存能力的支撐，確保資訊保安，規避安全隱患。
在記憶體創新方面，紫光國芯，2018年或將迎來首款中中國產DDR4記憶體。紫光今年在晶片、儲存等領域都投入了巨大的精力。在2017年1月，紫光宣佈投資2000億元在南京建設半導體產業基地，主要產品為3D-LAND FLASH、DRAM儲存晶片等，建成後將實現月產晶圓10萬片。
華為2017年釋出的新一代全快閃記憶體陣列OceanStor Dorado5000 V3支援NVMe（Non-Volatile Memory express）技術，作為華為新一代全快閃記憶體陣列家族OceanStor Dorado V3中的一員，OceanStor Dorado5000 V3採用專為快閃記憶體設計的Huawei FlashLinkTM技術，支援400萬IOPS，0.5ms穩定時延，儲存效能提升10倍。
在災備領域，也有歷時9個多月，蒐集近20萬文字材料，十幾位一線技術工程師的親自撰寫、稽核和校對的《中國災備技術和行業白皮書2018（修訂版）》推出。
我們這裡只是列舉了一部分2017年儲存領域的傑出代表。我們也看出，中中國產儲存廠商在技術創新和產業推動方面發揮了重要作用。
2017-2018年是中中國產儲存技術的爆發年。
http://www.zhiding.cn/zdnet/17awards.shtml
2017年凌雲獎分為基礎設施、企業應用、工作空間、方案與案例、產業生態等5大類100多個細分類別。企業級儲存作為基礎設施重要元件，凌雲獎評選出2017在儲存領域具備技術突破、產品創新和行業洞察等產品和解決方案。
所選產品是在最近一年儲存領域各個廠商新技術、產品、趨勢的釋出。凌雲獎結合業內各方技術專家的專業判斷、使用者的調查，選擇出在SCM、中中國產儲存晶片、全快閃記憶體陣列、軟體定義儲存、物件儲存、超融合、資料保護、容災、備份、固態盤、磁碟等領域的創新產品，為企業IT決策者和商業決策者提供有意義、有價值的產品和技術選型指導。
我們看到在2017年，儲存核心技術的中中國產化浪潮到來，包括中中國產化並且首款商用NVMe SSD主控晶片產品推出，包括從中中國產CPU到晶片、橋接晶片、BIOS、儲存管理軟體等基於自主研發的企業級儲存陣列推出。
2017年11月，憶芯科技成功推出了國內首款商用NVMe SSD主控晶片STAR1000，並被業界主流SSD廠商所選用。STAR1000實現順序讀寫效能分別高達3GB/s和2GB/s，隨機讀寫效能分別高達350K和300K IOPS ，支援最新NVMe1.2協議（StarNVMeÒ技術）和主流MLC、3D TLC顆粒（StarFLashÒ技術StarLDPCÒ技術）。
2017年11月，宏杉科技宣佈了採用了由國防科技大學自主研製的“飛騰FT-1500A”處理器的MS3000G2-FT企業級儲存。該產品具備企業級儲存功能特性，可為政府、企業、國防、軍工等多個重要行業使用者的關鍵業務提供儲存能力的支撐，確保資訊保安，規避安全隱患。
在記憶體創新方面，紫光國芯，2018年或將迎來首款中中國產DDR4記憶體。紫光今年在晶片、儲存等領域都投入了巨大的精力。在2017年1月，紫光宣佈投資2000億元在南京建設半導體產業基地，主要產品為3D-LAND FLASH、DRAM儲存晶片等，建成後將實現月產晶圓10萬片。
華為2017年釋出的新一代全快閃記憶體陣列OceanStor Dorado5000 V3支援NVMe（Non-Volatile Memory express）技術，作為華為新一代全快閃記憶體陣列家族OceanStor Dorado V3中的一員，OceanStor Dorado5000 V3採用專為快閃記憶體設計的Huawei FlashLinkTM技術，支援400萬IOPS，0.5ms穩定時延，儲存效能提升10倍。
在災備領域，也有歷時9個多月，蒐集近20萬文字材料，十幾位一線技術工程師的親自撰寫、稽核和校對的《中國災備技術和行業白皮書2018（修訂版）》推出。
我們這裡只是列舉了一部分2017年儲存領域的傑出代表。我們也看出，中中國產儲存廠商在技術創新和產業推動方面發揮了重要作用。