掃描隧道顯微鏡(Scanning Tunneling Microscope, STM)是賓寧和羅雷爾在1981年發明的,這個發明讓他們獲得了1986年的諾貝爾物理學獎。
STM利用了量子力學中的隧穿效應,可以分辨物質表面0.1nm(原子尺寸)的細節,縱向(材料表面高度變化)分辨率甚至可以達到0.01nm,由於這項技術的發明,科學家不但可以分辨材料表面原子尺寸的細節,甚至還可以操控單個原子。
如果開個腦洞的話,我們獲得了一個一個裝配原子以獲得特定結構和功能的能力,這是非常了不起的技術進步。
STM的一個主要缺點是樣品必須具有導電性,如果沒有的話就不能產生隧穿電流,從而導致無法觀察。STM的發明激發了一系列基於類似技術方案的顯微術,原子力顯微鏡(Atomic forcr microscopy, AFM)就是其中之一,但AFM並不要求樣品必須導電。
與STM一樣,AFM也有微小的探針,這個小的探針在材料的表面掃描,由於它距離材料表面很近,所以能感受到材料表面對探針的微弱的力的作用,與探針相連的微小的懸臂在力的作用下會發生方位的改變,這會使照射在懸臂上的激光光束發生偏轉,計算機可以收集並處理這些偏轉的光信號,並合成材料表面的形貌。
AFM比STM更便宜實用,目前在實驗室裡應用的很廣泛。它的分辨率最小可以達到幾埃(或幾個原子的大小),比STM要差一些,但要比光學顯微術強多了。通過使用不同的探針,原子力顯微鏡還可以探測壓電/鐵電,甚至鐵磁結構。
掃描隧道顯微鏡(Scanning Tunneling Microscope, STM)是賓寧和羅雷爾在1981年發明的,這個發明讓他們獲得了1986年的諾貝爾物理學獎。
STM利用了量子力學中的隧穿效應,可以分辨物質表面0.1nm(原子尺寸)的細節,縱向(材料表面高度變化)分辨率甚至可以達到0.01nm,由於這項技術的發明,科學家不但可以分辨材料表面原子尺寸的細節,甚至還可以操控單個原子。
STM示意圖,在樣品和探針之間施加一個電壓,雖然樣品和探針不直接接觸(或說存在勢壘),但由於量子隧穿效應,在樣品和探針之間還是會有電流通過。隧穿電流的大小和電壓,樣品表面的態密度及樣品和探針之間的距離有關。通過保持電流恆定或探針高度恆定,我們都可以通過計算機採集到的信息來生成樣品表面的形貌。如果開個腦洞的話,我們獲得了一個一個裝配原子以獲得特定結構和功能的能力,這是非常了不起的技術進步。
STM的一個主要缺點是樣品必須具有導電性,如果沒有的話就不能產生隧穿電流,從而導致無法觀察。STM的發明激發了一系列基於類似技術方案的顯微術,原子力顯微鏡(Atomic forcr microscopy, AFM)就是其中之一,但AFM並不要求樣品必須導電。
與STM一樣,AFM也有微小的探針,這個小的探針在材料的表面掃描,由於它距離材料表面很近,所以能感受到材料表面對探針的微弱的力的作用,與探針相連的微小的懸臂在力的作用下會發生方位的改變,這會使照射在懸臂上的激光光束發生偏轉,計算機可以收集並處理這些偏轉的光信號,並合成材料表面的形貌。
原子力顯微鏡原理圖。AFM比STM更便宜實用,目前在實驗室裡應用的很廣泛。它的分辨率最小可以達到幾埃(或幾個原子的大小),比STM要差一些,但要比光學顯微術強多了。通過使用不同的探針,原子力顯微鏡還可以探測壓電/鐵電,甚至鐵磁結構。
上:鈦酸鋇材料的表面形貌;下:相同材料的鐵電疇結構。(灰色標度條的長度是10微米)