P型半導體的“P”表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。N型半導體的“N”表示負電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在N型半導體中，參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。 由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。在P型半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。擴展資料：一、N型半導體原理摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子。這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半導體，如ZnO、Ta2O5等，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用。因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度，這表現為更強的電子導電性。二、P型半導體原理要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純淨的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度。在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子，氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。