光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用於印刷工業的，以後才用於電子工業。 光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光後，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片製造中所用的光刻膠以液態塗在硅片表面，而後被幹燥成膠膜。

是一個廣泛的稱呼,

　　用於電子元器件的粘接,密封,灌封和塗覆保護

　　室溫硫化硅橡膠或有機硅凝膠用於電子電氣元件的灌封，可以起到防潮、防塵、防腐蝕、防震的作用，並提高使用性能和穩定參數，而且其在硫化前是液體，便於灌注，使用方便。應用有機硅凝膠進行灌封時，不放出低分子，無應力收縮，可深層硫化，無任何腐蝕，硫化後成透明彈性體，對膠層裡所封裝的元器件清晰可見，可以用針刺到裡面逐個測量元件參數，便於檢測與返修。室溫硫化的泡沫硅橡膠用於電子計算機內存儲器磁芯板，經震動、沖擊、冷熱交變等多項測試完全符合要求。加成型室溫硫化硅橡膠的基礎上製得的耐燃灌封膠，用於電視機高壓帽及高壓電纜包皮等製品的模製非常有效。對於不需要進行密閉封裝或不便進行浸漬和灌封保護時，可採用單組分室溫硫化硅橡膠作為表面塗覆保護材料。一般電子元器件的表面保護塗覆均用室溫硫化硅橡膠，用加成型有機硅凝膠進行內塗覆。近年來，玻璃樹脂塗覆電子電器及儀表元件的應用較為廣泛。

光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照後特性會發生改變，是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，主要應用於電子工業和印刷工業領域。光刻膠有正膠和負膠之分：正膠經過曝光後，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影後被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光後，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影後，留下光照部分形成圖形。

電子膠是一個廣泛的稱呼，主要用於電子元器件的粘接，密封，灌封和塗覆保護

5n川光刻機和刻蝕機的區別主要表現在三個方面:

一、難度:光刻機難，刻蝕機難。

　　原理:光刻機打印圖紙，刻蝕機根據打印的圖案蝕刻掉有圖案/無圖片的部分，剩下的留下。

　　第三，流程操作不同

　　(1)掩模版對準:利用光化學反應原理和化學物理刻蝕方法，將掩模版上的電路圖形轉移到單晶的表面或介質層上，形成有效的圖形窗口或功能圖形。在晶圓表面，電路設計圖案直接由光刻技術決定，因此光刻技術也是芯片製造中的核心環節。

　　(2)、刻蝕機:通過化學和物理的方法，將顯影後的電路圖永久準確地留在晶圓上，選擇性地去除硅片上不需要的材料。有兩種蝕刻方法，溼法蝕刻和幹法蝕刻。

　　光刻機又稱掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等。

　　通常，光刻工藝須經歷清洗和乾燥硅片表面、塗底漆、旋塗光刻膠、軟烘烤、對準曝光、後烘烤、顯影、硬烘烤和蝕刻的過程。

　　刻蝕機等離子，又稱等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子刻蝕機、等離子表面處理器、等離子清洗系統等。

　　等離子蝕刻是較常見的幹法蝕刻形式。其原理是暴露在電子區的氣體形成等離子體，產生的電離氣體和釋放的高能電子組成的氣體形成等離子體或離子。當電離的氣體原子被電場加速時，它們會釋放出足夠的力，緊緊地附著在材料上，或者利用表面斥力刻蝕表面。