二極管既然是一個PN結,當然具有單向導電性。
Uon稱為死區電壓,通常硅管的死區電壓約為0.5V,鍺管約為0.1V。
當外加正向電壓低於死區電壓時,外電場還不足以克服內電場對擴散運動的阻擋,正向電流幾乎為零。
當外加正向電壓超過死區電壓後,內電場被大大削弱,正向電流增長很快,二極管處於正向導通狀態。
導通時二極管的正向壓降變化不大,硅管約為0.6~0.8V,鍺管約為0.2~0.3V。
溫度上升,死區電壓和正向壓降均相應降低。
UBR稱為反向擊穿電壓,當外加反向電壓低於UBR時,二極管處於反向截止區,反向電流幾乎為零,但溫度上升,反向電流會有增長。
當外加反向電壓超過UBR後,反向電流突然增大,二極管失去單向導電性,這種現象稱為擊穿。
普通二極管被擊穿後,由於反向電流很大,一般會造成“熱擊穿”,不能恢復原來性能,也就是失效了。
二極管的應用範圍很廣,主要都是利用它的單向導電性,可用於整流、檢波、限幅、元件保護以及在數字電路中用作開關元件等。
二極管既然是一個PN結,當然具有單向導電性。
Uon稱為死區電壓,通常硅管的死區電壓約為0.5V,鍺管約為0.1V。
當外加正向電壓低於死區電壓時,外電場還不足以克服內電場對擴散運動的阻擋,正向電流幾乎為零。
當外加正向電壓超過死區電壓後,內電場被大大削弱,正向電流增長很快,二極管處於正向導通狀態。
導通時二極管的正向壓降變化不大,硅管約為0.6~0.8V,鍺管約為0.2~0.3V。
溫度上升,死區電壓和正向壓降均相應降低。
UBR稱為反向擊穿電壓,當外加反向電壓低於UBR時,二極管處於反向截止區,反向電流幾乎為零,但溫度上升,反向電流會有增長。
當外加反向電壓超過UBR後,反向電流突然增大,二極管失去單向導電性,這種現象稱為擊穿。
普通二極管被擊穿後,由於反向電流很大,一般會造成“熱擊穿”,不能恢復原來性能,也就是失效了。
二極管的應用範圍很廣,主要都是利用它的單向導電性,可用於整流、檢波、限幅、元件保護以及在數字電路中用作開關元件等。