利用晶體管振盪電路將低壓直流電轉換成高壓(160V-300V)交流電，再整流變成高壓直流電，儲存在電容器裡且此高壓加在閃光管的兩端；

同樣再產生另一高壓（800V左右），當照像時，此(800V)高壓加在閃光管的觸發端，使閃光管內氣體被擊穿從而能導電，其兩端(160V-300V電壓的)電容裡的電能通過閃光管放電使閃光管發光。

電容的串並聯容量公式-電容器的串並聯分壓公式

1.串聯公式：C = C1*C2/(C1 + C2)

2.並聯公式C = C1+C2+C3

補充部分：

串聯分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

並聯分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下

一個大的電容上並聯一個小電容

大電容由於容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯電感，英文簡稱ESL）。

電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由於容量小，因此體積可以做得很小（縮短了引線，就減小了ESL，因為一段導線也可以看成是一個電感的），而且常使用平板電容的結構，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由於容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。

所以，如果我們為了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過，就採用一個大電容再並上一個小電容的式。

常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當頻率更高時，還可並聯更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上並聯一個0.1uF的電容到地（這個電容叫做退耦電容，當然也可以理解為電源濾波電容，越靠近芯片越好），因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。