IRF3205是：雙柵場效應管。 參數：N溝、55V、110A、200W。 場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。 它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

1、最大額定參數

2、熱阻特性

3、電氣特徵@Tj=25C

4、漏源極限和特徵 TO-220封裝的IRF3205普遍適用於功耗在50W左右的工商業應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝。D2Pak封裝的IRF3205適用於貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安裝版，適合較低端的應用。