區別在於：

一是生產工藝不同，CCD為電荷耦合半導體器件，生產工藝比較成熟，成像質量較好；CMOS為互補金屬氧化物半導體器件，成像質量不如CCD。

二是處理信息方式不同，CCD以行為單位逐位輸出信息，速度較慢。而CMOS採集光信號的同時就可以獲取電信號，速度比CCD快很多。

1.信息讀取方式不同

　　CCD電荷耦合器存儲的電荷信息，需在同步信號控制下一位一位地實施轉移後讀取，電荷信息轉移和讀取輸出需要有時鍾控制電路和三組不同的電源相配合，整個電路較為複雜。CMOS光電傳感器經光電轉換後直接產生電流（或電壓）信號，信號讀取十分簡單。

　　2.讀取速度不同

　　CCD電荷耦合器需在同步時鐘的控制下，以行為單位一位一位地輸出信息，速度較慢;而CMOS光電傳感器採集光信號的同時就可以取出電信號，還能同時處理各單元的圖像信息，速度比CCD電荷耦合器快很多。

　　3.電源及耗電量不同

　　CCD電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大;CMOS光電傳感器只需使用一個電源，耗電量非常小，僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光電傳感器在節能方面具有很大優勢。

　　4.成像質量不同

　　CCD電荷耦合器制作技術起步早，技術成熟，採用PN結或二氧化硅（SiO2）隔離層隔離噪聲，成像質量相對CMOS光電傳感器有一定優勢。由於CMOS光電傳感器集成度高，各光電傳感元件、電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾較嚴重，噪聲對圖像質量影響很大，使CMOS光電傳感器很長一段時間無法進入實用。近年，隨著CMOS電路消噪技術的不斷發展，為生產高密度優質的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。