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1 # 用戶2669231462688019
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2 # Cuijf
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝(Packages)
由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit芯片採用78球FBGA封裝，16bit芯片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度(BL，Burst Length)
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸
第一，二，三代DDR（Double Data Rate）內存則採用數據讀寫速率作為命名標準，並且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。
DDR一代內存，也就是DDR，為雙倍併發，也就是常說的2倍速內存；而DDR2為四倍併發，也就是常說的4倍速內存；而DDR3為八倍併發，也就是常說的8倍速內存。舉例來說，當核心頻率同為200MHz時，DDR內存的實際頻率為400MHz，DDR2內存的實際頻率為800MHz，DDR3內存的實際頻率為1600MHz。分別對應的內存是DDR 400MHz、DDR2 800MHz、DDR3 1600（OC）內存。DDR二代和三代內存的具體區別: 一、DDR2：頻率由400-800 ，多見533 667 800，工作電壓1.8V ，240針 ，內存芯片正方形，芯腳不外露。ddr2內存傳輸帶寬：4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec;PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400 二、DDR3：頻率由800-1666 ，多見1066 1333 1600 ， 工作電壓1.5V ， 240針。