硅靶材在多個領域中有廣泛的應用，以下是一些常見的用途：

1. 太陽能電池：硅靶材是太陽能電池製造中最常用的材料之一。通過將硅靶材製備成不同形態的晶體硅（單晶硅、多晶硅、非晶硅），可以製造高效的光伏電池。硅光伏電池廣泛應用於太陽能發電系統、戶用光伏系統、光伏組件等領域。

2. 集成電路製造：硅靶材在集成電路（芯片）製造中扮演關鍵角色。通過將硅靶材製備成單晶硅或多晶硅薄片，可以製造芯片的襯底。芯片中的電路元件、晶體管、電極等都可以通過硅製備而成。

3. 光學塗層：硅靶材用於製備光學塗層，如反射鏡、抗反射塗層、濾光片等。硅塗層具有優異的光學特性，可以用於光學器件、激光系統、光學儀器等領域。

4. 化學材料：硅靶材還可用於製備化學材料，如硅溶膠、硅膠等。這些化學材料在化工、材料科學和生物醫學等領域中有廣泛應用，用於催化劑、吸附劑、填充劑、生物材料等方面。

5. 傳感器和MEMS：硅靶材在傳感器和微機電系統（MEMS）中也常用到。硅材料具有優異的機械性能和化學穩定性，適合用於製備傳感器、壓力傳感器、加速度計、微型馬達等微小尺寸的器件。

6. 能源領域：硅靶材在能源領域有一些應用，如製備鋰離子電池的負極材料、太陽能熱能轉換器材料等。

總的來說，硅靶材由於其豐富的特性和可塑性，在光電子學、半導體、能源、光學等領域具有重要的應用價值。

主要用作功能陶瓷材料原料,非鐵金屬的耐熔材料,飛機引擎,燃氣輸機噴嘴、軸承等高溫結構材料和耐熱塗層以及研磨、切削、電爐等的材料。

硅靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用於高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不鏽鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

一、硅晶圓材料

　　晶圓是制作硅半導體 IC 所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是硅，芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系。

　　二、光學顯影

　　光學顯影是在光阻上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了光阻塗布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在 IC 製程的進步上，扮演著 最關鍵的角色。由於光學上的需要，此段製程之照明採用偏黃色的可見光。因此俗稱此區為 黃光區。

　　三、蝕刻技術

　　蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為：溼蝕刻（wetetching）：溼蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之後達到蝕刻的目的；幹蝕刻（dryetching）：幹蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的複合作用。現在主要應用等離子體刻蝕技術。

　　四、CVD 化學氣相沉積

　　化學氣相沉積（CVD）是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大範圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

　　五、物理氣相沉積（PVD）

　　這主要是一種物理製程而非化學製程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材後，可將靶材原子一個個濺擊出來，並使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。

　　六、離子植入（IonImplant）

　　離子植入技術可將摻質以離子型態植入半導體組件的特定區域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達預定的植入深度。離子植入製程可對植入區內的摻質濃度加以精密控制。基本上，此摻質濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內之總離子數）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。

　　七、化學機械研磨

　　晶圓製造中，隨著製程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻（Lithography）技術對晶圓表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越來越高，IBM 公司於 1985 年發展 CMOS 產品引入，並在 1990 年成功應用於 64MB 的 DRAM 生產中。1995 年以後，CMP 技術得到了快速發展，大量應用於半導體產業。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。

　　八、光罩檢測

　　光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。光罩必須是完美無缺，才能呈現完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被複制到晶圓上。光罩檢測機臺則是結合影像掃描技術與先進的影像處理技術，捕捉圖像上的缺失。

　　九、清洗技術

　　清洗技術在芯片製造中非常重要。清洗的目的是去除金屬雜質、有機物汙染、微塵與自然氧化物；降低表面粗糙度；因此幾乎所有制程之前或後都需要清洗。份量約佔所有制程步驟的 30％。

　　十、晶片切割

　　晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以 0．2 微米製程技術生產，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的 64M 微量。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。

　　十一、焊線

　　IC 構裝製程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡稱 IC），此製程的目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。

　　十二、封膠

　　封膠之主要目的為防止溼氣由外部侵入、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。

　　十三、剪切／成形

　　剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便於裝置於電路版上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機配上多套不同製程之模具，加上進料及出料機構所組成。

　　十四、測試和檢驗

　　這些測試和檢驗就是保證封裝好芯片的質量，保證其良率。