命名規則：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）
字符1： T: "Toshiba" 東芝
字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封裝
字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成電路
字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供電電壓類型
字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 閃存接口類型為UFS
字符6： 4: Unique code of controller revision 內置控制器版本為4
字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示
字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB
字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架構為MLC
字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封裝內含堆疊芯片數為4
字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 製程為15nm
字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 無鉛無鹵素BGA封裝
字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC 工業版本
字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封裝大小
其中，第9個字符與閃存架構有關：
1）SLC（Single-Level Cell）為S或H；
2）DLC（Dua-Level Cell）為D或E【不常見】；
3）TLC（Triple-Level Cell）為T或U；
4）MLC（Multi-Level Cell）為B、C、J、K、L、N 等。
命名規則：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）
字符1： T: "Toshiba" 東芝
字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封裝
字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成電路
字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供電電壓類型
字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 閃存接口類型為UFS
字符6： 4: Unique code of controller revision 內置控制器版本為4
字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示
字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB
字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架構為MLC
字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封裝內含堆疊芯片數為4
字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 製程為15nm
字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 無鉛無鹵素BGA封裝
字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC 工業版本
字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封裝大小
其中，第9個字符與閃存架構有關：
1）SLC（Single-Level Cell）為S或H；
2）DLC（Dua-Level Cell）為D或E【不常見】；
3）TLC（Triple-Level Cell）為T或U；
4）MLC（Multi-Level Cell）為B、C、J、K、L、N 等。