浸潤式光刻機是一種先進的光刻技術，可以實現納米級的圖案刻寫。它利用液體介質（如水或有機溶劑）填充在光刻膠和掩膜之間，通過折射率匹配來提高分辨率。

目前，浸潤式光刻機已經實現了亞納米級的刻寫，可以達到幾十納米的分辨率。隨著技術的不斷發展，未來可能會進一步提高刻寫分辨率，實現更小尺寸的納米級圖案。

浸潤式光刻機是一種高精度的光刻機，其刻蝕深度和分辨率都與波長和光刻膠的特性有關。在現代半導體工藝中，浸潤式光刻機已經可以達到亞納米級別的分辨率，最小刻線寬度已經可以達到10納米以下。但是，要想達到這樣的精度需要使用高質量的光刻膠和精密的光刻模板，並且還需要精密的光學系統和控制系統來確保精度和穩定性。

因此，浸潤式光刻機的刻線寬度和刻深往往受到多種因素的影響，包括光刻膠的特性、光學系統的精度、光刻模板的質量等。

浸潤式光刻機是目前半導體行業中常用的一種工藝設備，它可以實現高精度微納米級別的光刻加工。根據不同的設備規格和工藝參數，浸潤式光刻機可以刻幾納米的精度，通常可以達到幾十納米的精度，甚至更小。在製造高密度芯片和MEMS器件等領域中，浸潤式光刻機成為必不可少的加工工具。隨著技術的不斷進步，浸潤式光刻機的刻線精度將會不斷提高，實現更加精細的加工。