電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠；

晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高

IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈衝電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小；缺點：開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO

GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題

GTO：電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低

MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。

制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度。