半橋驅動自舉電容可以按以下方法取值：

常規情況下，在電容已經被充電穩定的情況下，保持電容電壓的變化或波動量在100mV到300mV是我們能夠接受的，這個值也就就是電容電壓的紋波大小。

假如門極電荷量是10nC（驅動電壓是10V的情況下），我們要求驅動過程中，自舉電容的電壓變化量最大是100mV，那麼自舉電容則為

C=10nC/0.1=100nF

實際中，這個電容我們通常要求採用低ESR的陶瓷電容，以便提供高質量的驅動能量，而大小則需要取值為計算值的3至5倍，這是因為電容本身會存在一定的偏差，陶瓷電容在直流偏置下容量衰減的比較厲害，即使你只使用它額定電壓的50%或更低，尤其是非C0G材質的陶瓷電容.

而我們常用的小功率DC-DC更是會給出一個典型的自舉電容，比如100nF或10nF，這個值往往都是大於計算值的，我們採用推薦值，因為這些DC-DC的MOSFET內置，多數情況下，我們無法得知這個MOSFET的特性，所以採用它們給的推薦值。