1制作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。
2晶圓塗膜。在晶圓表面塗上光阻薄膜，該薄膜能提昇晶圓的抗氧化以及耐溫能力。
3晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡後照射到晶圓塗膜上，使其軟化，然後使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。
4離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，並注入離子，形成PN結（邏輯閘門）；然後通過化學和物理氣象沉澱做出上層金屬連接電路。
5晶圓測試。經過上面的幾道工藝之後，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。由於每個芯片的擁有的晶粒數量是非常龐大的，完成一次針測試是一個非常複雜的過程，這要求在生產的時候盡量是同等芯片規格的大批量生產，畢竟數量越大相對成本就會越低。
6封裝。將製造完成的晶圓固定，綁定引腳，然後根據用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外在因素採用各種不同的封裝形式；同種芯片內核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等
1制作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。
2晶圓塗膜。在晶圓表面塗上光阻薄膜，該薄膜能提昇晶圓的抗氧化以及耐溫能力。
3晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡後照射到晶圓塗膜上，使其軟化，然後使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。
4離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，並注入離子，形成PN結（邏輯閘門）；然後通過化學和物理氣象沉澱做出上層金屬連接電路。
5晶圓測試。經過上面的幾道工藝之後，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。由於每個芯片的擁有的晶粒數量是非常龐大的，完成一次針測試是一個非常複雜的過程，這要求在生產的時候盡量是同等芯片規格的大批量生產，畢竟數量越大相對成本就會越低。
6封裝。將製造完成的晶圓固定，綁定引腳，然後根據用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外在因素採用各種不同的封裝形式；同種芯片內核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等