CMP工藝，全稱為Chemical Mechanical Polishing，即化學機械拋光。它是一種半導體製造工藝，主要用於製造集成電路中的平坦化和拋光。

CMP工藝最初是由美國貝爾實驗室（Bell Labs）的研究人員在20世紀70年代末期發明的。當時，他們發現傳統的機械拋光工藝無法達到他們需要的平坦度要求，于是開始探索其他的拋光工藝。最終，他們發明了一種利用化學反應來去除材料表面雜質的方法，即CMP工藝。

CMP工藝的原理是，在拋光過程中，將拋光劑塗在硅片表面，並使用旋轉的拋光墊將硅片表面磨平。拋光墊上的磨粒可以去除硅片表面的雜質和凸起，同時不會損傷硅片的結構。這種方法可以實現非常高的平坦度和拋光效果，成為半導體製造領域中最為重要的工藝之一。

CMP全稱為Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光，是半導體晶片表面加工的關鍵技術之一。單晶硅片製造過程和前半製程中需要多次用到化學機械拋光技術。

與此前普遍使用的機械拋光相比，化學機械拋光能使硅片表面變得更加平坦，並且還具有加工成本低及加工方法簡單的優勢，因而成為目前最為普遍的半導體材料表面平整技術。