1、堆棧式CMOS的感光二極管在電路晶體管後方，進光量會因受到遮擋而減少，因而光線越弱成像越差。而背照式CMOS就是將電路晶體管和感光二極管的位置調轉，光線首先進入感光二極管，這樣就增大了感光量，從而顯著提高低光照條件下的拍攝效果；

2、背照式CMOS接收的是經過感光二極管放大的光元素，一個像素點的面積可以被放大，所以背照式CMOS對弱光的捕捉能力更厲害，因而高感也就更強大，而堆棧式CMOS是先接收光元素後再由感光二極管進行工作，一個像素點的面積不會變大，因而對弱光的撲捉能力比背照式CMOS差，高感也就弱；

3、雖然堆棧式CMOS的高感不如背照式CMOS，但堆棧式CMOS接收的像素點是原始像素點，而背照式CMOS接收的放大後的像素點，因而在低感光度下堆棧式CMOS的銳度更高，而高感下背照式CMOS的噪點更少。

4、所以，白天拍照堆棧式好，暗光下拍照背照式好。