碲鎘汞是由離子鍵結合的三元半導體材料，碲、鎘、汞之間互作用力小，組分中汞的性質不穩定，各組分含量的微小偏差即會引起帶隙變化，因此碲鎘汞材料易出現組分不均勻、產品不穩定等缺陷問題，材料在生長過程中工藝控制難度高，且加工難度大。總的來看，碲鎘汞材料成品率低、生產成本高，製造的碲鎘汞紅外探測器屬於高端產品，價格高昂，主要應用在軍工及科研領域。

碲鎘汞是一種半導體材料。
因為碲鎘汞是由碲、鎘和汞三種元素組成的化合物，具有半導體特性，常用於太陽能電池板、X射線探測器等領域。
此外，碲鎘汞還有較高的光電轉換效率和較低的能帶寬度，因此在光電子學、光伏等領域具有廣泛的應用前景。

1. 碲鎘汞是一種半導體材料。
2. 它是由碲、鎘和汞等元素組成的化合物材料。
3. 碲鎘汞因其具有較大的電子親和能力和較小的禁帶寬度等優異的電學和光學性質，在太陽能電池、光電探測和激光器等領域具有廣泛的應用。