ASML傳來的新訊息

晶片發展進入了新的階段，各大晶片生產供應鏈環節都有了很大的提升。從原來的7nm向5nm過渡，並不是某一個環節達到要求就行，必須要整個供應鏈具備相關的水準。

比如光刻機巨頭ASML要提供EUV光刻機，晶片製造巨頭也掌握5nm晶片工藝製程，以及在晶圓、光刻膠、封裝工藝等等都要達標，才能造出一顆5nm晶片。

相對而言，光刻機裝置會顯得尤為重要。就好比廚師手中的廚具，程式設計師手中的電腦。目前ASML已經掌握了EUV光刻機生產技術，不過EUV最高只能製造5nm晶片，想要提升一步，就必須帶來更先進的光刻機。

關於這一點，ASML傳來新訊息，能夠生產3nm或者是1nm的NA EUV已經完成設計，大概在2022年會安排出貨。這款NA EUV的工藝，製造難度是EUV光刻機的好幾倍，價格和體積都是成倍上漲。

看起來NA EUV光刻機完成設計對晶片界來說是一個好訊息，這樣未來人類晶片工藝就能迎來更大的突破，1nm晶片或許也不是難題。ASML傳來的新訊息影響重大，不過這不是好的影響，受影響的首先就是臺積電。

對臺積電的影響

根據供應鏈訊息，臺積電已經採購了35臺EUV光刻機，佔據ASML一半的產能。等於說世界上一半的EUV光刻機都在臺積電手中，而且預計到2021年底採購的EUV光刻機數量會超過50臺。

掌握這麼多的EUV光刻機，對臺積電生產5nm晶片是有巨大幫助的。但是臺積電已經計劃在2022年量產3nm晶片，屆時EUV光刻機發揮的作用是有限的，只能採購更先進的NA EUV光刻機。

看起來ASML完成了NA EUV的設計，臺積電也正好需要，這是兩全其美的事情，可問題在於對臺積電不利的影響也是可見的。

首先第一個影響：NA EUV光刻機的體積達到了一般潔淨室的天花板，這麼大的體積不管是產地問題還是安裝問題都是非常困難的。

EUV光刻機已經涉及10萬個零部件，而NA EUV僅僅一個光學系統就需要佔據超大空間。所以體積大的影響需要臺積電安排更多的廠房，甚至要重新建設，規劃新產地。

第二個影響：價格是EUV光刻機的4倍。據瞭解，一臺EUV光刻機達到了1.2億美元，而NA EUV光刻機價格上漲了4倍，大概為4.5億美元。

前期購買的NA EUV光刻機數量可能不會很多，就拿十臺NA EUV光刻機數量來看，那就是45億美元，相當於300億人民幣左右。隨隨便便幾臺NA EUV光刻機就要花費上百億，得虧是臺積電，換成是一般的企業，一臺NA EUV都買不起。

但如此昂貴的價格，估計就算是臺積電，也未必能承擔太多的裝置負擔。

第三個影響：晶片工藝或將達到天花板。不出意外的話，NA EUV光刻機可能是ASML未來能夠造出最先進的光刻機了。人類晶片工藝的極限一直被打破，從7nm到5nm，再到3nm，2nm，可是到了1nm，已經無限接近物理極限。

如果摩爾定律停止，晶片製程將不再更迭，臺積電更無法再進一步。所以晶片工藝或將達到天花板，一旦臺積電就此止步，三星和其它企業就能迎頭趕上，到那時候，綜合性實力更強的三星，就能在各大領域壓制臺積電。

總結

1nm之外還能有更先進的工藝製程嗎？ASML還能造出比NA EUV更先進的光刻機嗎？臺積電還能突破1nm嗎？

這些問題就算都解決了，但只要有一個環節的技術跟不上，都是白搭。就拿最初的晶片設計來說，製造晶片的前提是設計晶片，可如果企業設計不出1nm晶片該怎麼辦？所以ASML帶來NA EUV光刻機的訊息換一個角度想，這可能不是開始，而是結束。

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