SSD品牌眾多，Intel可以說是非常優秀的那一個，早些年的X25系列至今都是讓人津津樂道的經典，不過近些年，Intel固態儲存的主要精力轉向了企業、資料中心市場，消費級領域產品並不多。

眼下，Intel已經將NAND快閃記憶體業務賣給了韓國SK海力士，不過在交割完成前，Intel仍在全力推進技術與產品，去年12月份就全球首發了144層QLC NAND快閃記憶體，並推出了多款產品，包括今天的主角SSD 670p。

去年有不少筆記本都配備了Intel SSD 660p，用的也是QLC快閃記憶體，但因為寫入效能不甚理想，反響並不太好。

SSD 670p能逆轉這一形象嗎？

首先說說Intel QLC快閃記憶體的進展，目前可以說QLC快閃記憶體方面Intel是最積極的，也是唯一突破100層堆疊的。

Intel的第一代QLC快閃記憶體誕生於2016年，最初只有32層堆疊，一年後翻番到64層，儲存密度也增加了133％，然後是2019年的96層，儲存密度增加50％。

最後就是我們現在看到的第四代，144層堆疊，儲存密度又增加了50％，儲存密度已經是當年的超過5倍。

Intel QLC快閃記憶體使用了浮動柵極結構，擁有緊密、對稱的堆疊層，再結合CuA(陣列下CMOS)技術，沒有單元開銷，同時利用離散電荷儲存節點，具備良好的程式設計/擦除閾值電壓視窗，可以有效保障儲存單元之間穩定的電荷隔離，以及完整的資料保留。

Intel宣稱，這種結構的QLC具備高效能、大容量、高效能、高可靠性的優勢，使得高性價比大容量SSD成為現實。

SSD 670p定位於桌面、筆記本的日常計算、辦公、內容創作、主流遊戲場景，可以完美取代HDD機械硬碟，規格方面自然不算多麼高大上，但更加親民。

標準的M.2 2280介面形態，新的第三代PCIe主控和韌體(慧榮方案)，PCIe 3.0 x4系統介面並支援NVMe，容量可選512GB、1TB、2TB，而且都是單面設計，更輕薄。

效能方面，順序讀寫最高可達3.5GB/s、2.7GB/s，對比上代SSD 660p分別提升了94％、50％，QD1 4KB隨機讀寫為20K IOPS、54K IOPS，QD8 4K隨機讀寫則是31K IOPS、34K IOPS，比上代提升41％、55％，可以說各個方面都實現了均衡的飛躍，而且還有新一代動態SLS快取的輔助。

功耗也大大降低，讀寫狀態從100mW降至80mW，待機狀態從40mW降至25mW，L1.2休眠狀態更是僅僅3mW。

至於大家最關心的壽命，512GB、1TB、2TB的最大寫入量分別是185TBW、370TBW、740TBW，五年質保，相當於每天0.2次全盤寫入。

動態SLC快取是TLC、QLC SSD的必備技能，標稱效能其實都來自SLC快取的讀寫。

SSD 670p系列的SLC快取包括靜態、動態兩種，靜態恆定不變，動態則根據總容量、可用容量而智慧調整，相比上代增大了最多11％。

其中，512GB型號靜態快取6GB、動態快取最多64GB，合計70GB，1TB、2TB則是最多12GB+128GB＝140GB、24GB+256GB＝280GB。

當然了，未來保證SLC快取有效加速，建議不要把硬碟存滿，要保留至少15％的空閒。

我們之前說過，SSD 670p面向的是日常客戶端應用場景，在這裡大約90％的應用負載都是低佇列深度(QD)，並且大多數都是讀寫混合，整體平均比例在70-30左右。

Intel建議，無論基準測試還是應用測試，都應當貼近這種狀態，以反映真實效能表現。

Intel也放出了一組官方測試成績，顯示SSD 670p的各項效能指標相比上代都有了不同程度的進步，尤其是順序讀寫提升了82％，寫入效能偶爾略弱於部分競品，但整體更加均衡，更像個“水桶”。

整體而言，SSD 670p相比其他主流的TLC/QLC SSD，在低佇列深度寫入方面有明顯優勢，60-40、90-10的典型隨機讀寫組合中更是表現突出。

綜合而言，Intel表示，SSD 670p同時針對低佇列深度、混合工作負載進行了調優，實現了效能、成本、功耗的恰當平衡。

事實上，SSD 670p已經符合Intel Evo高階筆記本嚴苛認證，這也從側面證明了其效能、可靠性。

Intel SSD 670p零售版已經上架預售，512GB 479元、1TB 799元、2TB 1779元，3月8日0點正式開賣，3月10日後發貨。

惠普、戴爾、華碩、聯想也會預裝在其整機中，4月起陸續發售。