近日，鎧俠釋出了一款全球最薄的1TB UFS 3.1快閃記憶體晶片，這款快閃記憶體晶片的封裝厚度只有1.1mm，可實現2050 MB/s的順序讀取速度以及1200 MB/s的順序寫入速度。快閃記憶體顆粒為BiCS FLASH™3D NAND，並且支援WriteBooster和HPB技術，WriteBooster可有效提高這款快閃記憶體晶片的寫入速度，而在引入HPB技術後也提高了它的隨機讀取效能。

HPB技術全稱Host Performance Booster，它能解決手機在使用過程中逐步變卡的問題，長時間使用手機後執行變慢卡頓的原因之一就是由於檔案系統碎片化和儲存器隨機讀效能下降所導致。由於儲存器的快取能力有限，頻繁過載L2P Map表就會造成效能開銷過大。而HPB技術可利用手機的記憶體來快取L2P Map表， 從而提升了長時間隨機讀取能力的表現。

雖然目前使用鎧俠UFS 3.1快閃記憶體的手機還是相對較為少見，比較知名的手機有全球首發高通驍龍870的motorola edge s和三星Galaxy Note 20，不過這款全新推出的快閃記憶體晶片應該會有不錯的競爭力，較薄的封裝設計也能進一步減小手機的厚度，預計未來會有更多的智慧手機會用上這款快閃記憶體晶片。