近幾年，臺積電在晶片工藝製程上一路領先，蘋果、聯發科、高通都是其客戶。與之相比三星在晶片製程上就要落後許多了，即便同樣是5nm工藝製程，臺積電的也更好一些。當然三星也在奮起直追。

在IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星展示了其3nm工藝製程製造的晶片，準確的說是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM儲存晶片，預計明年實現量產。重要的是寫入電壓僅需0.23V，為何要強調寫入電壓呢？

晶片的漏電現象可以說是晶片功耗最大的殺手鐧，目前漏電所產生的功耗佔據了晶片功耗的50%以上。曾經的臺積電因為漏電還榮獲“臺漏電”的稱號。而更低地寫入電壓可以改善晶片的漏電現象。

這對於目前功耗不斷創新高的手機來說是一件好事。功耗低了，就不需要那麼強的散熱了，就不需要太多的空間來堆散熱了，手機的電池也就可以更大了，續航問題不就解決了？

一直被臺積電壓一頭的三星這次可能真的要實現彎道超車了，三星和臺積電的3nm工藝製程使用的是不同的技術路線。三星的3nm工藝製程電晶體的密度能增加80%多，功耗降低50%；臺積電的3納米制程集體密度增加70%，功耗可降低27%。但從技術引數上來看，三星的3nm工藝似乎是更領先的。但是技術引數是一回事，實際表現又是另一回事，這一次三星和臺積電誰會是最後的贏家了？

晶片製造技術有多重要就不必多說了吧，目前中國大陸最先進的晶片工藝製程是中芯國際的14nm，和國際先進水平相差甚遠。華為麒麟晶片被卡脖子，就是因為晶片的製造受制於人。

先進的晶片工藝支援需要用到EUV光刻機，目前全球唯一能生產光EUV光刻機的只有荷蘭AMSL公司，而這家公司的背後又是西方國家。EUV光刻機的產量每年僅有20幾臺，單價高達1.2億美元。臺積電早在去年就斥巨資下單了13臺。

在全球晶片短缺的當下，3nm製程晶片明年能不能大規模量產還真不好說。3nm製程晶片量產初期必然是產量較低的，晶片製造廠商是不是應該多花精力擴充5nm晶片的產能來緩解全球晶片短缺呢？

晶片製程之爭，誰會是最後的贏家呢？拭目以待！