隨著高科技時代的發展，半導體行業各個產業鏈分工也十分明確，上游材料、裝置，中游設計、製造，下游封測等環節集結於一體。然而只有三星和英特爾則一枝獨秀，將其設計、製造、封測三大環節於一體，從不依賴於別人。這不，最近在IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星亮出全球首款採用3nm工藝製造的SRAM儲存晶片，在半導體工藝上有了進一步的技術突破。

關注過手機圈的小夥伴也應該都知道，高通和三星均在2020年年底推出了旗下最新5nm晶片，雖然說效能表現上都十分的出色，但是在功耗方面卻也是呈翻倍狀態，因此也令很多的手機廠商和消費者頭疼腦熱的問題 。而導致這類問題出現的主要原因，還是因為找了三星代工5nm製程工藝，由於技術上的不成熟這才導致了功耗翻車現象。

為什麼三星會這麼急著推出3nm工藝晶片呢？究其主要原因還是在於晶片巨頭臺積電，擁有目前最為先進的5nm工藝技術，三星雖然也能打造出5nm工藝芯，但是在各方面效能表現來說，終究還是有一定的差距。因此，三星也不甘心於此，在半導體研發計劃十年之內趕超臺積電，成為全球最大的半導體公司。

根據資料顯示，三星此次推出的3nm工藝製造的SRAM儲存晶片，其容量可達256Gb，面積僅56平方毫米，在效能表現上相對於5nm來說整體提升了30%，而在功耗方面則有了較大的改善，整體降低了50%。雖然說從資料上看，效能表現還是十分可觀，但是有了上代產品功耗翻車的前車之鑑，還是令許多網友表示：靠譜嗎？

如果說三星預計在明年正式推出3nm工藝芯，那麼臺積電勢必也會跟上腳步，而英特爾則依舊停留在7nm，所以在明年的晶片角逐當中也就只有這兩家半導體企業能夠分出勝負。而作為新秀中芯國際以及臺灣的聯發科近些年是否能夠為我們帶來驚喜呢？拭目以待吧！