在代工市場上，唯一可以和臺積電抗衡的，就是三星了，雙方在先進工藝進展上也是互不相讓，7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。在最新舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星就披露了最新的工藝進展和路線圖。臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產，領先三星一年左右。

三星電子在7日線上“三星代工論壇2021”中釋出了上述內容。企業計劃明年上半年將環繞閘極（GAA）技術用於3納米制程、2023年用於第二代3納米制程、2025年用於2納米制程。根據三星電子的計劃，明年上半年將趕在臺積電之前實現3奈米晶片量產。據瞭解，三星採用GAA技術的3納米制程效能預計較基於鰭式場效電晶體（FinFET）技術的5納米制程提升30%，功耗減少50%，芯片面積縮減35%。三星電子同時稱，預計在2025年起向2納米制程匯入更加先進的GAA技術。

三星電子3奈米晶片客戶也成為行業關注焦點。目前來看，旗下半導體設計業務部三星電子LSI、美國四大半導體設計企業之一的超威半導體（AMD）可能性較高，行業估計AMD明年末推出的新GPU或搭載三星電子3奈米晶片。三星電子代工事業部長崔時榮在當天的論壇中表示，未來將加大投資力度，提升GAA等尖端工藝及現有工藝技術，透過持續的技術創新，提供滿足客戶需求的各類競爭力產品。

相較之下，臺積電計劃明年7月量產3奈米晶片，用於英特爾中央處理器（CPU）和圖形處理器（GPU）等。不同於三星電子，臺積電將在3納米制程中延續先前採用的FinFET技術，最快2奈米才匯入GAA。行業認為，臺積電明年量產計劃順利，且有信心更獲得客戶支援，也是在客戶的選擇之下，其維持FinFET技術。另據臺積電預期，其3納米制程效能可較5奈米提升10%至15%，功耗減少25%至30%等，3奈米量產頭年，客戶產品量能達到5奈米兩倍以上，廣泛應用於智慧機與高速運算（HPC）平臺。

行業認為，三星電子、臺積電採用不同技術的3納米制程競爭將在2022年實際展開。除GAA外，目前三星也開發3奈米乃至2奈米所需的第二代技術：多橋通道場效應電晶體（MBCFET）。此外，三星電子還在當天的活動中介紹新技術17納米制程FinFET工藝，效能較28奈米FinFET提升39%，面積大幅縮減43%。

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