南韓晶片製造商SK海力士剛剛宣佈完成對下一代1z nm工藝記憶體的研發，生產率提高約27%，功耗降低40%。採用新工藝的16Gb DRAM記憶體晶片將從2020年起投入批量生產，單條32GB記憶體將更加普及。

1x/1y/1z是指記憶體進入10~20nm階段後發展出的三代工藝，並沒有明確的奈米資料。一般認為1x階段是18nm到19nm，1y可能覆蓋14nm到16nm，而新一代1z則可能對應12nm至14nm。由於半導體制程微縮陷入瓶頸，新工藝的成本居高不下，追逐效能的晶片（CPU、GPU）會優先使用最新的工藝節點，而DRAM記憶體則必須考慮到成本的問題。

相比當前使用193nm波長深紫外光的當代DUV工藝，新的EUV極紫外光使用13.5nm波長的鐳射。EUV光刻機的單臺價格超過1億美元。

光刻機購置成本的增長只是其中一方面，EUV的廣泛應用目前還面臨很多技術和成本障礙，生產效率難以提升。所以半導體制造商現階段都在儘可能地避免使用EUV，或者只在關鍵步驟使用EUV光刻。

目前三星、美光和SK海力士三家主要DRAM記憶體製造商的1z nm工藝中都沒有使用到EUV光刻。相信隨著未來技術的發展，更加先進的EUV光刻會有具備綜合成本優勢的那一天。