中芯國際意外的人事變動

臺積電前COO蔣尚義迴歸中芯國際，中芯國際現任聯席CEO梁孟松提出辭職。

12月15日晚間，中芯國際釋出公告，現年74歲的前臺積電營運長、前中芯國際獨立董事、前武漢弘芯CEO蔣尚義，獲委任為中芯國際第二類執行董事、董事會副董事長及戰略委員會成員。

與此同時，媒體報道中芯國際現任聯合CEO梁孟松對蔣尚義的迴歸事先並不知情，並且與另一位聯合CEO趙海軍不和已久，因此在當天的董事會上投出棄權票，並向董事長周子學提出辭呈。隨後，網上也傳出了梁孟松在董事會上公佈的一份辭職宣告，他表示自2017年11月擔任中芯國際聯席CEO至今已有三年多，幾乎從未休假，在其帶領的2000多位工程師的盡心竭力的努力下，完成了中芯國際從28nm到7nm工藝的五個世代的技術開發，這是一般公司需要花10年以上時間才能才能完成的任務。最後，梁孟松表示此次蔣尚義出任中芯國際副董事長一職的人事變動，其是在12月9日才被董事長周子學告知，此前對此一無所知。中芯國際於今天盤前公告稱，公司已知悉梁孟松的辭任意願，目前正積極與後者核實其真實意願，任何該公司最高管理層人事變動，以公告為準。受訊息影響，今天中芯國際A股收跌5.5%，港股收跌4.9%，晶片板塊領跌全市場。

蔣尚義與梁孟松簡介

蔣尚義：執著於追求先進封裝、小晶片技術。

現年74歲的蔣尚義在半導體領域有45年資深經歷，於1974年獲得斯坦福大學電子工程學博士學位，隨後在美國德州儀器、惠普公司工作。1997年，他回到臺灣加入臺積電擔任研發副總裁，後升任共同營運長直至2013年退休；其間領導了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等關鍵節點的研發。

2016年12月，蔣尚義加入中芯國際，擔任獨立非執行董事直至2019年6月離職。2020年12月15日，蔣尚義正式重新加入中芯國際，擔任董事會副董事長、第二類執行董事及戰略委員會成員。近日，蔣尚義在接受採訪中透露，自己執著於追求先進封裝、小晶片等系統整合的技術，本次回到中芯國際的目的是協助中芯國際成為世界一流公司，以及在中芯國際實現其自身的技術追求。梁孟松：更擅長製程工藝的技術攻關。現年68歲的梁孟松在半導體領域有30多年從業經歷，在獲得加州大學伯克利分校電機學博士學位後，加入美國AMD工作。1992年，他離開美國加入臺積電從事研發工作直至2009年離職，離開臺積電之前其職位是資深研發處長。2011年加入三星，擔任研發部副總經理。在三星任職期間，他帶領三星實現45nm、32nm、28nm、14nm FinFET製程技術的突破。之後，由於被臺積電起訴洩露商業機密，他於2016年被迫離開三星。2017年10月，梁孟松加入中芯國際，擔任聯合CEO兼執行董事至今。梁孟松與擅長晶片廠整體管理、運營的蔣尚義有所不同，更擅長製程工藝的技術攻關。加入中芯國際以來，幫助中芯國際完成了從28nm到7nm工藝五個世代的技術開發，並且在5nm、3nm製程上也已經展開了最關鍵、最艱鉅的8項技術攻關，只待EUV光刻機到位即可進入全面開發階段。

對中芯國際自身的影響

背景：由於美國製裁，以高階EUV光刻機為代表的生產裝置受限，由梁孟松領導的中芯國際先進製程領域的追趕將止步於7nm。

目前全球具有或即將具有14nm製程產能的晶圓代工廠只有7家，分別是臺積電、英特爾、三星、格芯、聯電、中芯國際和華虹半導體。而14nm以下更先進的製程，只有臺積電、三星、英特爾、中芯國際這四家。再往下，能夠量產7nm晶片的只有臺積電和三星兩家，能夠量產5nm晶片的只有臺積電。目前中芯國際在全球晶圓代工市場市佔率約為4%，全球排名第五，在中國大陸地區排名第一，是中國大陸目前唯一在14nm以下先進工藝發展規劃明確的晶圓代工廠商。2019年，面對EUV光刻機禁運的背景，梁孟松帶領中芯國際提出了自己的突破方案——N+1技術，N+1的目標是從14nm製程基礎上實現接近7nm效能的晶片製造。經過一年多的研發，中芯國際N+1工藝成果逐漸顯現。8月27日晚間，中芯國際披露半年報表示，第二代先進工藝（N+1工藝）進展順利，已進入客戶產品驗證階段。9月18日中芯國際表示，其第一代FinFET 14nm工藝已在2019年第四季度投產，第二代FinFET N+1工藝已進入客戶匯入階段，預計將在2020年底實現小批次試產。10月15日，ASML公司首席財務官表示，向中國客戶出口DUV光刻機已經無需申請出口許可證。目前主流的高階光刻機，主要有DUV光源和EUV光源兩種產品。中芯國際的N＋1工藝就是建立在DUV光刻機的基礎之上的，隨著ASML的DUV光刻機陸續到貨，中芯國際的7nm工藝也將迎來突破。然而若要實現N+2工藝製程，則需要使用EUV光刻機，目前全球只有ASML有能力供貨，中芯國際曾於2018年向ASML訂購了一臺EUV光刻機，但受限於美國阻攔，該訂單至今仍未交付，並且ASML也未表示未來會放開EUV光刻機供應。梁孟松在辭呈信中表述：5nm（N+2）和3nm的最關鍵、也是最艱鉅的8大項技術也已經有序展開，只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段。由此可見，中芯國際N+2工藝實現突破的瓶頸在於ASML的EUV光刻機，在EUV光刻機供應放開基本無望的背景下，中芯國際的先進製程或將在未來一段時期內止步於7nm。如果最終梁孟松離職，可能意味著中芯國際未來戰略發展方向上的大轉變，從之前追趕先進製程技術，轉向做大成熟製程以及先進封裝。一方面，上文已經解讀，在美國的制裁下，由梁孟松領導的先進製程的追趕本來就要止步於7nm，再繼續往這個方向發展需要耗費大量的人力、物力、財力以及時間，甚至到最後徒勞無功。另一方面，5G手機、智慧汽車、通訊基礎設施、電腦/平板、電視/大尺寸面板、雲計算與IDC、物聯網等領域帶動晶片需求大幅增長，疊加晶片製造產能緊缺，近期各類芯片價格水漲船高。8英寸代工產能作為成熟製程的核心部分，業界預計產能緊缺現象到2021年下半年有望緩解。

在成熟製程產能持續緊缺的背景下，中芯國際轉向加大對90/65/55nm等成熟製程的投入，是比較現實的事。

目前兆易創新/匯頂科技/卓勝微/韋爾股份等半導體廠商大部分需求都集中在成熟製程，面對巨大的產能缺口，未來幾年中芯國際將在國產裝置/材料廠商的配合下，做好90/65/55nm等成熟製程去美化晶圓廠建設，在補全產能短板後逐步突破先進工藝。

另外，中芯國際除了轉向擴大成熟製程之外，還會升級先進封裝技術。

在後摩爾時代，隨著電晶體通道尺寸逼近物理極限，只追逐線寬縮小，已無法滿足新技術所需的標準，先進封裝技術因此被視為新的突破口。

全球晶圓代工巨頭臺積電創始人張忠謀曾表示，透過先進封裝技術，可讓一顆晶片能夠整合更多功能，也更省空間，並且不需要很先進的製程。在中芯國際先進製程發展受阻的背景下，加大先進封裝領域投資，可實現對現有工藝製程的效能突破。

本次中芯國際人事變動引入的蔣尚義，最近一次對外表態時曾談到，決定加入中芯國際的關鍵是，中芯國際有先進封裝的基礎，同時先進製程技術已經推進至14nm、N+1、N+2，能夠實現其在先進封裝和系統整合方面的夢想。

對晶片產業鏈的影響

此次事件將對國內晶片產業鏈造成結構性的影響：成熟製程相關材料裝置需求進一步提升，而高階支撐相關材料裝置的國產替代需求大幅削弱。

晶圓代工是一個集合全球高階裝備的高門檻產業，大部分晶圓廠裝置供應來自全球，其成本開支構成中約25%為歐洲的光刻機，約50%為美國的刻蝕機、PVD等，還有約25%為日本的刻蝕、沉積裝置。而搭建一個去美化的晶圓廠，其成本結構大約為：25%用於歐洲光刻機 ，50%用於日本的刻蝕機、PVD等裝置，其餘25%為中國大陸的刻蝕、PVD、清洗、氧化等裝置。去美化的晶圓廠最大的增量在於中國大陸的刻蝕、PVD、清洗、氧化等裝置。而國內半導體裝置廠商經過多年研發，已經在成熟製程方面積累深厚，並且部分裝置已進入全球高階領域。若中芯國際加大成熟製程的投資力度，則會進一步提升整個上游供應鏈（裝置、材料、IP/EDA）的需求，但同時由於其先進製程發展受阻，高階裝置/材料的出貨量或將銳減，其研發動力也將大大削弱。

最後：現實與理想

如果最終蔣尚義迴歸，而梁孟松選擇離職，那麼意味著中芯國際在理想與現實中，還是選擇了接受現實，從戰略進攻轉向了戰略防禦。

踏踏實實，一步一個腳印，等待補齊產業鏈短板，等待裝置和材料不再受制於人，再來追逐理想。對中芯國際以及國內晶片產業鏈來說，戰略方向上的轉變短期必然會給估值帶來影響。中芯國際如果放緩或者中止在先進製程領域的追趕，那麼就不能再去對標臺積電的市值，而是進一步落實到業績上來，看行業供需基本面、看景氣度、看業績增速，而不是看國產替代給予市夢率估值。希望國內晶片產業鏈能借此機會從之前的狂熱追趕，轉向更為理性的健康發展。懷揣理想，腳踏實地，負重前行。