在中芯國際和梁孟松博士促膝長談的時候，美國的實體清單終於擴容了。

中芯國際20日晚釋出公告，關注到美國商務部以保護美國國家安全和外交利益為由，將公司及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”。經初步評估，該事項對公司短期內運營及財務狀況無重大不利影響，對10nm及以下先進工藝的研發及產能建設有重大不利影響。

公告顯示，公司被列入“實體清單”後，根據美國相關法律法規的規定，針對適用於美國《出口管制條例》的產品或技術，供應商須獲得美國商務部的出口許可才能向公司供應；對用於10nm及以下技術節點(包括極紫外光技術)的產品或技術，美國商務部會採取“推定拒絕”(Presumption of Denial)的審批政策進行稽核；同時公司為部分特殊客戶提供代工服務也可能受到一定限制。

簡言之，核心內容有兩點，一是供應商需要向美國申請出口許可；二是美國不允許中芯國際使用10nm及以下技術的相關裝置。

事實上，正如中芯國際的公告所言，這個實體清單對當前的經營影響微乎其微，因為中芯國際核心業務在28nm甚至45nm之上，14nm也僅僅剛做到了量產。

更有意思的是，因為價效比超高，中芯國際有差不多四分之一的客戶來自美國。

在全球經濟一體化的當下，這種所謂的制裁其實是很愚蠢的。但盎格魯撒克遜人的思維邏輯和中國人的邏輯完全不同，疫情期間的表現也能讓大家耳目一新。

中國人已經習慣了獨立自主，你封鎖我，我不會自暴自棄，會更加努力，終將打破封鎖。

當初制裁華為，一部分美國中小晶片供應商損失慘重，甚至有的小供應商被迫倒閉。

中芯國際的大量供應商和客戶都在美國，對中芯國際的制裁，其實就是變相的制裁這部分美國公司。

然後說一說中芯國際的製程。

眾所周知，在ASML的EUV光刻機的加持下，三星和臺積電都已經實現了7nm、5nm甚至3nm的技術突破，在EUV量產之前，臺積電和三星都實現過依賴DUV光刻機的7nm技術。

但是，各家的7nm技術，有很多貓膩。

其實臺積電和三星的7nm，效能還不如Intel的10nm。

Intel一直堅持以每平方毫米的電晶體數量（密度）作為定義先進工藝節點的基礎。在英特爾看來，10nm工藝的晶片，邏輯電晶體密度要達到100.76MTr/mm，即每平方毫米內包含超過1億個電晶體。

而臺積電的7nm晶片，電晶體密度是多少？早期7nm HPC階段僅有60.3MTr/mm的電晶體密度，即每平方毫米內含6030萬個電晶體，只有英特爾的60%。後來改良了下，（第3代銳龍處理器及Navi GPU階段）也就91.2MTr/mm的水平。

而三星呢？10nm時電晶體密度僅有51.8MTr/mm，後來被英特爾嘲諷了好多次後，加了把油，7nm工藝總算是將MTr/mm推上101.23，等同於intel的10nm晶片了。

那麼問題來了，中芯國際是多少nm的製程？

老謀深算的梁孟松，壓根就沒提nm，而是N+1、N+2… …

今年初的財報會議上，梁孟松博士也首次公開了N+1、N+2代工藝的情況，他說N+1工藝和14nm相比，效能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

中芯國際一直沒有明確14nm之後是否跳過10nm工藝，所以這個N+1到底是10nm還是7nm不能確定，但根據梁孟松的說法，N+1基本上可以確定是7nm級別的工藝了，因為芯片面積縮減55%意味著電晶體密度提升了1倍，這超過了14nm到10nm工藝的進化水平，臺積電從14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。

但是，這個相當於7nm的技術，到底算10nm及以下，還是算10nm以上？

定義權完全在中芯國際手裡，到時候就說這是14nm+++技術好了。