事件：12月17日公司釋出公告，計劃在現有廠區內投資2.3億元用於建設全碳化矽功率模組產業化專案，其中包括建設年產8萬顆車規級全碳化矽功率模組生產線和研發測試中心。

1. 積極佈局SiC，開拓發展新方向。公司計劃在現有廠區內投資2.3億元用於車規級碳化矽功率模組生產線和研發測試中心的建設。與傳統燃油車相比，新能源汽車含矽量提升，其對半導體元器件的效能要求更高。SiC具有禁頻寬度大、擊穿場強高、飽和漂移速率高、熱導率高等優點。隨著新能源汽車滲透率逐步提升，以SiC材料為襯底、外延的功率器件需求也將提升。我們認為公司佈局SiC將完善公司在汽車產業鏈的佈局，進一步拓展新能源汽車市場。

2. 新能源、家電變頻化、工控國產替代持續驅動公司成長。1）一方面新基建帶來光伏行業新增長，另一方面燃油車轉向電動車，IGBT用量劇增。2）變頻技術普及速度在家電行業速度加快，目前已經接近成熟，變頻家電高溢價吸引廠商進入，帶動IPM 模組需求，目前IPM市場目前產能不足，出現缺貨漲價現象。3）工控市場國產替代空間大，歐美等發達國家逆變焊割裝置的比重約為60%～70%，當前我國逆變焊割裝置的使用比重約為28%，尚有巨大的上升空間。

投資建議：我們預計公司20-22 年營業收入分別為9.9/13.1/17.3億元，20-22 年歸母淨利潤分別為1.8/2.4/3.3億元，維持“推薦”評級。

風險提示：宏觀環境持續惡化；研發專案進展不及預期；新能源汽車市場發展不及預期；匯率波動風險。

正文如下

以上為報告部分內容，完整報告請檢視《斯達半導：佈局SiC，開拓車載器件新市場》

本文來自方正證券研究所於釋出的報告《第三代半導體之SiC研究框架》，欲瞭解具體內容，請閱讀報告原文。，陳杭S1220519110008。

電動車有兩顆”大腦“：

一個處理物理能源：是資訊理論在電池電控的應用，用資訊控智慧量，四兩撥千斤的功率半導體，用少量資訊處理控制巨量電流，極大的提高能效和控制精度，其背後需要一系列的半導體（SiC、GaN）來實現半導體對電能的有效控制。

一個處理數字訊號：是控制論在無人駕駛的應用，其本質是多反應+少預測的特斯拉FSD，其L5 ADAS的算力將高於智慧手機幾個數量級，用CPU、GPU、FPGA、射頻、儲存晶片組成龐大異構算力實時運算將電車喚醒，車載含矽量也將是數量級的提升。

投資建議：建議關注相關產業鏈標的：裝置：北方華創（整套SiC工藝裝置）、聞泰科技（安世半導體）、三安光電（三安整合）、華潤微、斯達半導、長電科技（600584）、比亞迪電子。

1. 全球SiC產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨大。隨著中美貿易戰的不斷升級，半導體晶片領域成為了中美必爭之地，伴隨著華為再次被美製裁，高階裝備等領域的國產化勢在必行。此外，SiC材料和器件在軍工國防領域的重要作用，也越來越突出。SiC外延裝置在推動產業鏈國產化程序中，意義尤為重大。

2. 器件發展，材料先行，IDM模式將繼續成為行業主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料，但不會完全替代，因為數字晶片並不適合採用SiC對Si進行替代，因此SiC預計佔整個半導體行業10%左右。SiC主要應用在功率半導體上，因此IDM模式能夠確保產品良率、控制成本。

3. 國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點，Cree高市佔率也印證了先發優勢的重要性。相較於Si，國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產廠商有希望追上國外廠商，完成國產替代。

風險提示：半導體週期持續下行，貿易摩擦拉長週期下行的時間；產品迭代速度較慢，國內競爭者迅速成長；製造過程中核心裝置和原材料遭到禁運，對生產造成不利影響。