日前，在意法半導體工業巡演北京站上，意法半導體亞太區功率分立和模擬產品器件部區域營銷和應用副Quattroporte沐傑勵Francesco Muggeri介紹了意法半導體的碳化矽產品線，Muggeri表示，意法半導體的碳化矽產品目前在汽車行業得到了大量應用，目前正在積極向工業領域進軍。

根據2019投資者關係日時透露的訊息，2018年，意法半導體碳化矽的產值為一億美元，預計2019年全年將翻一倍至兩億。目前意法半導體是全球排名第一的車用碳化矽MOSFET供應商，有超過20個車廠與之合作，量產車型更是達到了10個以上。其中包括歐洲8大車廠，雷諾尼桑以及三菱等日系，現代起亞等韓系車廠都和意法有著廣泛合作。

也正是如此，意法半導體制定了中期目標，2025年碳化矽市佔率超30%。

技術方面，意法半導體正在開發下一代溝槽式技術(trench technology)的碳化矽，使得器件尺寸不斷縮小。而在產線方面，一方面意法半導體併購了Norstel AB大部分股權，使得公司可以自主生產SiC外延，此外，意法半導體還和Cree-Wolfspeed簽署了多年碳化矽供貨協議，以保證穩定的產能。

“過去幾年，SiC的基材有些短缺，這也是我們積極部署產線的重要原因。這個月開始，義大利Catania工廠旁就會誕生一個全新的碳化矽工廠。此外，當我們自己來做外延的時候，我們就會變得主動，同時也不需要美國供應商來提供產品，這對中國市場非常重要。”Muggeri說道。

Muggeri強調道，在功率器件領域，意法半導體除了分立元件之外，還提供了標準模組和解決方案，滿足客戶即插即用的需求。目前這些模組主要應用在汽車市場，但未來同樣適合大功率的工業市場中。

關於碳化矽技術的補充

碳化矽（SiC）是一種寬頻隙材料，與矽相比，具有許多優點，例如，工作溫度更高，散熱效能得到改善，開關和導通損耗更低。 不過，寬頻隙材料比矽基材料的量產難度更高。

如圖所示，相比矽技術，碳化矽在功率密度，溫度效應等方面具有顯著優勢。

碳化矽的優點包括如下：

更高的效能和工作電壓

功率損失極低

本徵SiC體二極體（MOSFET）（4象限開關操作）

開關比矽更快，更可靠

在擊穿電壓相同的條件下，晶片尺寸更小

能效更高

導熱性高

更高的工作頻率

開關損耗更低，二極體開關效能出色

更小、更輕量化的系統

更高的工作溫度

工作節溫最高200°C

散熱要求降低，可用於輕量化系統，延長使用壽命

容易驅動

完全相容標準柵極驅動器

設計更簡單

意法半導體在碳化矽開發商的歷史

意法半導體從1996年開始從事碳化矽技術研發。在半導體市場推出一項新技術，品質高、壽命長，成本有競爭力是基本要求。意法半導體戰勝了這種寬頻隙材料的量產挑戰，於2004年開始生產其首款SiC二極體。2009年，意法半導體的第一款 SiC MOSFET投產，此後又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極體，以完善原來的650V產品組合。

意法半導體的6英寸碳化矽晶圓於2017年投產，生產規模擴大有助於降低晶片成本，提高市場供應量，滿足日益增多的SiC應用的需求（包括更多的太陽能逆變器、工業電機驅動器、家用電器和電源介面卡）。