國家積體電路產業投資基金二期股份有限公司（國家大基金二期）已於2019年10月22日註冊成立，註冊資本為2041.5億元，共27位股東，均為企業法人型別。從投向上看，二期或致力於打造自主可控的積體電路產業鏈。

大基金二期投資三大布局

根據相關資料統計，從投資領域來看，大基金一期以IC製造為主，具體分佈為：積體電路製造行業佔比67%，包括中芯國際、長江儲存等；設計行業佔比 17%，包括匯頂科技、兆易創新、中興微電子等；封測佔比 10%，包括長電科技、華天科技、通富微電等；裝置和材料佔比僅 6%，包括北方華創、中微半導體、安集科技、雅克科技等。從投資模式來看，大基金一期的投資方式包括公開股權投資、非公開股權投資、協助併購以及投資相關子基金公司等等，其中公開投資公司為23家，未公開投資公司為29家，累計有效投資專案達到70個左右。

業內人士表示，從投向上看，國家大基金一期偏重於對資金需求度更高的製造環節，並且重點投向了國內龍頭企業，例如對中芯國際的承諾投資便達到了約215億元，長江儲存達到190億元，華力微電子約116億元。在國家大基金二期投向上，除繼續支援製造環節外，將重點投向裝置材料、下游應用等領域。

今年9月初的半導體積體電路零部件產業峰會上，國家大基金透露了未來大基金投資的三方面重點佈局：第一，支援龍頭企業做大做強，提升成線能力。第二，產業聚集，抱團發展，組團出海。第三，繼續推進中國產裝備材料的下游應用。

在近期舉辦的財新峰會上，華芯投資管理有限責任公司Quattroporte路軍就大基金二期的投資方向表示，5G與儲存行業將是二期投資重點與重點關注行業。他還認為，儲存對於中國的產業和安全都至關重要。尤其是隨著5G時代的到來，網路的高速帶來的資料量提升需要足夠的容量來支援，這是非常好的市場。二期首先會關注已經在一期建立合作關係的公司和專案，例如長江儲存、中芯國際、華虹等機構，這60多家公司在逐步發展的過程中需要持續的資本支援。

國記憶體儲器晶片發展加速

儲存器作為半導體第一大細分領域，市場空間超過1200億美元，但儲存器行業均呈寡頭壟斷，國內廠商亟待突破。

儲存器行業DRAM/NAND/NOR的資金和技術門檻高，在經歷產業轉移，企業兼併之後，目前呈壟斷競爭格局。DRAM領域三星、SK海力士和美光三足鼎立，CR3（Current Rank 3，業務規模前三名的公司所佔的市場份額，後面術語類似）超95%；NAND領域除了DRAM三巨頭外還有東芝和西部資料，CR5達97%；NOR領域則由美光、Cypress、旺巨集、華邦電和兆易創新壟斷，CR5超90%。目前來看，除了NOR Flash有國內廠商身影，其他領域大陸企業均缺席，與國外的技術，規模等差距較大，自主產品亟待突破。

目前，國內佈局的三大儲存晶片基地，分別為專注於NAND Flash的長江儲存（紫光集團旗下）、聚焦於DRAM的合肥長鑫和福建晉華（被美國製裁）。

合肥長鑫專注研發19nm DRAM，主攻移動式記憶體，這不僅是兆易創新儲存晶片全平臺的最後一塊版圖，也是國內20nm以下DRAM唯一廠商。若成功達成規劃進度，合肥長鑫將成為繼國際三寡頭之後，全球第四家量產20nm以下DRAM的公司。未來規劃最大產能為12.5萬片12寸矽晶圓/月，預計將在全球DRAM市場佔得約8%的市場份額，從而填補中國產DRAM儲存器在本國市場的空白。隨著進口替代逐步完成，未來成長空間巨大。

紫光集團旗下長江儲存今年9月宣佈已開始量產基於Xtacking架構的64層3DNAND快閃記憶體，該產品採用長江儲存自主智慧財產權的Xtacking架構技術，擁有同代產品中最高的儲存密度和最快的I/O速度。據介紹，該晶片將廣泛應用於手機，電腦，伺服器，資料中心，智慧汽車等領域，提供大容量，高速率，高耐久度的儲存解決方案。這款產品的成功量產，也意味著中國在高階晶片設計製造領域零的突破。

另外，紫光集團也在今年6月底宣佈成立DRAM事業群，加大布局DRAM儲存器。紫光集團佈局DRAM由來已久，旗下西安紫光國芯一直專注於儲存器尤其是DRAM的產品技術研發，擁有從產品立項、指標定義、電路設計、版圖設計到矽片、顆粒、記憶體條測試及售前售後技術支援等全方位技術積累。

8月27日，重慶市政府與紫光集團簽訂重慶紫光儲存晶片產業基地專案合作協議，根據協議，雙方將聚焦儲存晶片領域開展全方位深層次合作。共同加大產業投資，在渝組建儲存晶片領域核心產業集團，設立紫光國芯積體電路股份有限公司和重慶紫光積體電路產業基金。完善儲存晶片產業鏈，在渝建設12英寸DRAM儲存晶片工廠，佈局包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部，建設紫光科技園，引入產業鏈上下游企業。

隨著大基金二期的佈局，我們期待著在儲存器領域更多中國產晶片企業的發展與突破！