本文選自光大證券研究報告

全球半導體產業分為 IDM 模式和代工模式。設計-製造-封測的代工模式使得半導體產業輕資產與重資產得以分離，設計公司專注於輕資產的產品定義，代工廠和封測廠專注於重資產的生產製造。在邏輯晶片中代工模式發展快速，而在儲存、模擬射頻和功率領域仍以 IDM 模式為主。主要是因為邏輯晶片生產工藝標準化，摩爾定律驅動效能提升和成本下降，而儲存晶片類似於大宗商品，設計較為簡單，製造規模化優勢明顯，模擬射頻和功率半導體高階產品設計需要和製造工藝緊密結合。

代工模式使得中國大陸設計萬花齊放，中國產替代全面進行。

比如全面發展的華為海思；

基帶晶片領域的展銳、翱捷；電腦CPU 領域的兆芯、龍芯；

模擬晶片設計領域的聖邦股份；

射頻晶片設計領域的卓勝微、唯捷創芯；

儲存晶片設計領域的兆易創新、北京君正（ISSI）；

指紋晶片領域匯頂科技；

CMOS 設計領域的韋爾股份（豪威）；

記憶體介面晶片領域的瀾起科技；

消費電子SOC 領域的全志科技、瑞芯微；

印表機晶片領域納思達；MCU 領域的中穎電子；

FPGA 領域紫光國微等；

功率晶片設計領域的新潔能，斯達半導體等。

公司對比及分析

匯頂、韋爾、兆易：頂級公司市場需求與競爭格局是關鍵

匯頂、韋爾、兆易三家公司具有世界級競爭力。

2018 年匯頂在屏下指紋領域銷售額全球第一，韋爾在 CMOS 領域銷售額全球第三（僅次於索尼三星）、兆易在 NOR 領域銷售額全球第四（僅次於旺巨集華邦電賽普拉斯）。

短期成長主要在於行業市場需求增長（屏下指紋、攝像頭、TWS）與競爭格局帶來的市佔率變化。長期成長主要在於三家公司從單一產品向平臺型企業發展，豐富產品線，多輪驅動成長。

聖邦和卓勝微：小公司大市場

聖邦和卓勝微屬於模擬（射頻）行業，該行業需要長期時間研發經驗積累，龍頭市佔率超過 25%，中國產廠商市佔率極低。

聖邦和卓勝微在低端產品市場進行中國產替代，收入利潤逆勢高速增長。短期通過不斷研發+併購補全產品線，從低端向中端進行滲透，由於市場份額很小，3-5 年高速增長可期。

長電科技和華天科技與國外龍頭對比

製造屬於重資產投資，行業集中度上升是趨勢。

大陸電子產業重資產投資成功的案例有 LCD 領域的京東方，LED 領域的三安光電等。半導體制造的投資更大，封測領域長電科技、華天科技已進入全球前十。

現在國內新建大量晶圓廠，我們認為未來主體集中將是趨勢。代工模式中的邏輯晶片先進

製程代工中芯國際，特色工藝成熟製程代工華虹半導體、華潤微電子發展快速；功率 IDM 模式中的安世半導體在小功率領域躍居全球前列，儲存 IDM 模式中的長江儲存、合肥長鑫開始發力，但模擬、射頻以及高功率功率IDM 國內仍然是短板，亟需發展。

中微公司和北方華創與國外龍頭對比

半導體裝置逐步打破國際壟斷，中國產替代加速進行。

全球半導體裝置行業呈現寡頭壟斷競爭格局，2018 年國外前五大廠商市佔達 65%，受益於 02 專項計劃，隨著資金投入和技術突破，國內半導體裝置廠商在細分領域正在逐步打破國外壟斷，加速中國產替代。

裝置龍頭中微公司、北方華創印證半導體裝置中國產替代邏輯。

中微公司刻蝕裝置技術水平已達國際同類產品標準， 7 奈米和 5 奈米刻蝕裝置得到臺積電認證並進入生產線，MOCVD 裝置已實現中國產替代，2018 年佔據全球氮化鎵基 LED 用 MOCVD 新增市場的 41%； 北方華創主要產品刻蝕裝置、PVD、CVD、氧化擴散裝置等基本實現 28 奈米量產，14 奈米進入生產線驗證，7/5 奈米投入研發。半導體裝置作為大基金二期重點投資領域，有望在政策紅利驅動下，進一步加速實現中國產替代。