三大主要事件：

1、中國晶片代工巨頭的中芯國際去年正式量產14nm晶片，7nm晶片有望在今年第四季度投入到量產。此外，中芯國際還進一步研發7nm工藝的低功耗、高效能版本-N+1、N+2代工藝。

2、華為研發出全球頂尖晶片。在2月24日，華為釋出了800G模組產品，其中還採用了自主研發的DSP晶片。據悉，800G模組的配套晶片主要是光電子通訊晶片，用於光電訊號的轉換，屬於通訊核心器件，在傳輸能力方面高於業內平均水平。

3、合肥長鑫在今年的DDR4記憶體晶片產能將擴充套件到4萬片晶圓/月，該產能在全球記憶體晶片市場份額達到了3%。據悉在去年9月，合肥長鑫DDR410nm記憶體晶片正式量產，成為國內第一家記憶體晶片供應商。

5G商用帶動半導體行業復甦：

WSTS預計2020年半導體有望逐漸恢復增長，全球銷售額將增加5.9％，達到4330億.27億美元。由於5G正式進入商用階段，相關投資恢復有望推動2020年半導體市場增速有望轉負為正，包括模擬半導體、微處理器、感測器、晶片、記憶體等產品，都有望重新迎來正增長。

國內晶圓代工藝水平可以劃分三類：

1、面向先進製程的12寸晶圓廠。以中芯國際、華虹集團為代表的國內頭部晶圓代工廠，目標市場面向先進製程。包括中芯國際北京12寸廠（28nm）、中芯南方上海12寸廠（14nm）、華力整合二期（28-14nm）、弘芯武漢12寸廠（14nm）。

2、面向成熟製程的12寸晶圓廠。由於大尺寸矽晶圓的發展趨勢，國記憶體在著一批面向成熟製程的12寸晶圓廠正在擴產中。包括華虹無錫12寸廠（90-65nm）、晶合集成合肥12寸廠（180-55nm）、萬國半導體重慶12寸廠（90nm）、士蘭微廈門12寸廠（90nm）、粵芯廣州12寸廠（180-130nm）。

3、其餘8寸廠/6寸廠等。包括中芯國際紹興、寧波、天津8寸廠、士蘭微8寸廠、積塔半導體上海8寸廠、燕東微電子北京8寸廠等等。19年底以來半導體市況明顯回溫，8英寸晶圓代工產能已吃緊。包括臺積電、聯電、世界先進的8英寸代工產能滿載。伴隨著旺盛的市場需求，國內8英寸也迎來擴產浪潮。

中國產替代率有望大幅提升：

整體上看，國內各梯隊晶圓代工廠的裝置中國產化率的情況是，先進製程<12寸成熟製程<8寸廠，分別以華力集、華虹無錫12寸廠、積塔半導體8寸廠為例。截止2020年2月，主要的半導體裝置的中國產化率分別為，華力整合（28nm）7.0%、華虹無錫（90-65nm）23.7%、積塔半導體（8寸）34.4%。

國內需求增長帶來投資潮

伴隨著旺盛的市場需求，大陸迎來了8英寸擴產浪潮。中國大陸8英寸晶圓廠現有產線23條，在建產線6條，目前產能約80萬片/月。據SEMI預測，到2020年底，中國大陸整體的8英寸矽晶圓供應產能將達到130萬片/月。由於8寸的半導體裝置門檻相對較低，中國產化率水平可以達到比較的水平，是中國產替代的重要一環，是中國產裝備發展的重要過渡市場。

目前中國三大儲存陣營，主要包括專注於3D NAND快閃記憶體的長江儲存（紫光集團與武漢合作），專注於移動式記憶體（DRAM）的合肥長鑫（兆易創新與合肥合作）以及利基型記憶體（NOR Flash，SRAM等）的福建晉華（聯電與福建合作）。三個專案在2016-2017年開工，其中福建晉華目前仍處於停滯狀態，而長江儲存與合肥長鑫都將在2020年進入積極的產能爬坡期，預期將促使裝置需求大幅增長。此外，紫光集團曾宣佈在南京、成都、重慶陸續展開積體電路基地建設，三地專案紫光投資總規模在千億級別，有望中期對半導體裝置需求形成有力支撐。

根據測算，2019-2022年國記憶體儲器廠投資規模分別為321.7億元/495.0億元/806.0億元/1116.3億元，分別同比變動-9%/+54%/+63%/38%；其中本土2019-2022年本土儲存器廠投資規模分別為88.3億元/291.9億元/519.7億元/860.4億元，分別同比變動-54%/+231%/+78%/+66%。

投資建議：

當前中國儲存器產業面臨重大機遇，國內裝置企業迎來黃金髮展期，下游需求旺盛疊加中國產化趨勢，國內半導體投資力度加大，將有望推動代工廠積極擴產。建議關注：北方華創（PVD/CVD/刻蝕/清洗/氧化擴散熱處理）、中微公司（刻蝕），至純科技（清洗）、華興源創（測試）、晶盛機電（矽片裝置）等。

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