國家大基金二期即將於3月底就開始實質性投資，市場對國家基金一期的投資成績已經有了很直觀的認知，從2014年開始到現在，國家積體電路大基金一期投資的標的，最大漲幅已經達到了38倍，最小的漲幅也有3倍左右。

在去年半導體積體電路零部件峰會上，國家大基金透露了未來大基金投資佈局及規劃方向：將對在刻蝕機、薄膜裝置、測試裝置和清洗裝置等領域已佈局的企業保持高強度的持續支援，推動龍頭企業做大做強，形成系列化、成套化裝備產品。對照《綱要》繼續填補空白，加快開展光刻機、化學機械研磨裝置等核心裝置以及關鍵零部件的投資佈局，保障產業鏈安全。

二期基金特別提到的4個具體的細分板塊已經在市場上起到了明顯的反應。這裡綜合起來看，測試和封裝會成為市場需求疊加收益的主要板塊，主要就是需求端的暴漲使得封測兩方面的需求也是大增，也為企業的業績提供了保障。

行業龍頭的動向更能反映出市場未來的增長空間的廣闊。臺積電在其業績交流會上表示將在2020的資本開資計劃上調到150億到160億美元，比去年高出10億美元，其資本開資主要用於半導體的光刻機等的購買。同時中芯國際也計劃投資6億美金購買各種光刻機裝置，兩大晶片生產廠家加大了裝置的投入，就更能為上下游提供更大的機會。

行業研究顯示，預計到2020年全球半導體裝置銷售額複合增速將超10%，而中國市場複合增速有望超20%。東吳證券研報指出，檢測裝置在半導體裝置投資額當中的佔比大致15%，估計到2020年中國半導體測試裝置市場空間有望達24億美元。

現在主要的增長都是在第三代半導體晶片材料，主要就是以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。

已釋出經濟提振計劃的廣東和湖南兩省均是 把第三代半導體的發展定位主要方向。

廣東省釋出了關於加快半導體及積體電路產業發展若干意見通知。晶片設計是重點發展方向，同時晶片的製造成為了製造業重點。大力發展MOSFET（金氧半導體場效應電晶體）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型電晶體）、高階感測器、MEMS（微機電系統）、大功率LED器件、半導體鐳射器等產品。支援氮化鎵、碳化矽、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模組的研發製造。

湖南省印發《加快第五代行動通訊產業發展的若干政策》，提出鼓勵發展光交換、基帶、中高射頻、影象處理等5G高階晶片、元器件及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體，發展基於5G技術的智慧手機、高超清視訊終端、智慧網聯車、可穿戴裝置、VR/AR、全息影像等終端產品。

全國經濟前10的經濟強省都是在快速的轉型經濟提振，同時市場也就會迎來更多的增長機會。

二期基金的主要投資潛在標的和光刻膠相關公司：

1、容大感光300576：光刻膠產品主要包括紫外線正膠、紫外線負膠兩大類產品以及稀釋劑、顯影液、剝離液等配套化學品，主要應用於平板顯示、發光二極體及積體電路等領域。

2、南大光電300346：2019年底在寧波建成一條光刻膠生產線，公司加大了對 193nm 光刻膠和前驅體的研發投入力度，公司研發費用投入比去年同期增加一倍。已獲得國家 02 專項“ 193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究專案”和“ ArF 光刻膠開發和產業化專案”的正式立項。

3、晶瑞股份300655：在互動平臺表示，公司擁有達到國際先進水平的光刻膠生產線，主導產品包括超淨高純試劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料和基礎化工材料等