據證券和半導體行業訊息人士透露，三星電子計劃明年將記憶體晶片建設的資本支出小幅增加至65億美元，預計增加的部分資金將用於其位於西安的第二家半導體工廠。據悉，三星電子將在今年年底公佈這一投資計劃。

據了解，儘管三星電子在西安市的第一家半導體工廠完全執行產能滿載，但仍然無法滿足NAND快閃記憶體供應需求，而2017年8月該公司與陝西省政府簽署了建設第二家工廠的諒解備忘錄。

同時，三星電子宣佈，計劃在2020年前的三年裡投資70億美元。

當下，NAND快閃記憶體市場正逐漸顯示出復甦跡象，三星電子也是鼓足幹勁。日經新聞指出，三星電子將在西安市的工廠引進智慧手機等使用的最尖端NAND快閃記憶體的生產裝置。主要向華為等當地智慧手機工廠供貨，裝置訂購金額被認為在數千億日元規模。

BusinessKorea則認為，NAND快閃記憶體市場上，三星電子、東芝、西部資料、美光、SK海力士和英特爾之間競爭激烈，但儘管三星電子的加碼投資和擴張生產不會對市場產生太大影響，一方面由於其他公司正在減產，三星電子也可以因此獲得更多的市場份額。

但報道也指出，中國和中國的企業是儲存晶片的最大客戶，三星電子因此肩負壓力，因為不僅要在明年8月前完成投資，還要全面運營這一新生產線。花旗集團分析師李世哲（Lee Se-chul）表示，“三星電子預計將擴大投資，每月可加工多達4萬片晶圓。”

值得一提的是， 該公司位於西安的新生產線裝置已安裝完畢並開始試執行，預計明年2月開始量產。（校對/holly）