[導讀]2019年中國產記憶體實現了0的突破，合肥長鑫前不久宣佈量產10nm級DDR4記憶體，核心容量8Gb。除此之外，另外一家儲存晶片公司兆易創新也宣佈研發記憶體，10.1日該公司宣佈融資43億元，主要用於研發1Xnm工藝的記憶體晶片。 根據兆

2019年中國產記憶體實現了0的突破，合肥長鑫前不久宣佈量產10nm級DDR4記憶體，核心容量8Gb。除此之外，另外一家儲存晶片公司兆易創新也宣佈研發記憶體，10.1日該公司宣佈融資43億元，主要用於研發1Xnm工藝的記憶體晶片。

根據兆易創新的公告，本次非公開發行A股股票的發行物件為不超過10名特定投資者，發行的股票數量不超過本次發行前公司股份總數的20%，即不超過64,224,315股(含本數)。

預案顯示，兆易創新本次發行募集資金總額(含發行費用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數)，扣除發行費用後的募集資金淨額將用於DRAM晶片研發及產業化專案及補充流動資金。

募集的資金中有39.92億元都會投入到記憶體研發及產業化中，主要用於研發1Xnm(19、17nm)製程工藝下的記憶體晶片，設計、研發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規格的記憶體。

早在2017年的時候，兆易創新宣佈與合肥長鑫合作，雙方將投資180億元研發中國產記憶體，其中兆易創新方面負責籌集36億元的資金。不過合肥長鑫量產記憶體時表示該專案是他們獨立運營的，否認與兆易創新有關。

目前情況來看，兆易創新融資43億元是準備自行研發DDR記憶體，而且製程工藝也是國際先進水平，17nm工藝目前與三星、美光工藝基本持平，不過後者已經開始量產，兆易創新依然是研發階段。