報告綜述：
新能源車全球普及加速，功率密度標準持續提升為 SiC 產業落地提供契機。歐盟 方面，在民眾訴求的推動下，歐盟的碳排放標準日趨嚴格，現行的碳排放標準要 求 2021 年生產的乘用車碳排放量滿足 95g/km，我們認為在此嚴苛要求下，新能 源汽車或將替代燃油車。美國方面，拜登上臺帶來美國新能源政策轉向，並計劃 於 2050 年實現碳中和，我們認為政府方面也希望藉助特斯拉等頭部企業助力美 國汽車製造業在新趨勢下保持領先地位。中國方面，2019 年中國石油對外依存 度超過 70%，我們認為電動車對保障能源安全至關重要，且中國憑藉市場空間、 工程師紅利等優勢，有望藉助汽車電動化實現汽車產業發展彎道超車的目標。我 們看到，在各國制定的電動車發展路線圖中，功率密度標準逼近主流 Si 基器件 的效能極限，SiC 器件成為理想替代。我們認為 SiC 有望在電動汽車產業加速發 展及滲透率提升的雙重推動下迎來需求快速成長。
SiC 解決電動車三大需求痛點，規模普及即將到來。我們認為，SiC 有望從以下三 個方面解決 Si 基器件的痛點問題：
1）續航里程是電動車的一大痛點，根據英飛 凌資料，SiC 器件整體損耗相比 Si 基器件降低 80%以上，導通及開關損耗減小， 有助於增加電動車續航里程；
2）輕量化的實現。SiC 器件具備高飽和速率、高電 流密度、高熱導率的特點，有利於實現電控模組小型化、周邊系統小型化、冷卻 系統簡單化，從而減輕整車重量；
3）滿足 800V 高電平要求。為配合快充應用， 車內電平向更高的 800V 提高是大勢所趨，在 1200V IGBT 車規產品難以普及的背 景下，使用 SiC MOSFET 是良好的解決方案。我們認為，目前 SiC 無法大規模商用 的主要矛盾在於成本高昂，但根據我們的測算，在新能源車平價目標成本假設下 （三電成本與傳統動力總成價格相當），若 SiC 的器件成本下降至矽基器件的 2 倍時，其經濟效益有望助推 SiC 在全系列車型全面普及。
小器件大市場，中國車用 SiC 市場將迎來高速成長。我們測算，2025 年中國電動 車及快充樁將帶來 62 億元/78 億元的 SiC 器件/模組市場空間（模組中包含器件 成本），2021-25 年 CAGR 高達 58%/35%。從產業鏈各環節來看，我們測算 SiC 襯 底及外延片價值量合計佔比超器件總價值量的 60%，2025 年中國本土導電型襯 底片需求超 100 萬片，行業上游重要性強，需求空間廣闊。我國企業目前已經能 實現 6 寸片規模量產，8 寸片與海外的技術差距正在縮小。
新能源車全球普及加速，碳化矽產業落地迎機遇歐洲：碳排放標準倒逼新能源車對傳統燃油車進行替代
歐洲推出碳中和時間表。歐洲議會 2019 年 11 月宣佈歐洲進入“氣候緊急狀態”，歐盟委員 會在 2019 年 12 月啟動了“綠色新政”，將 2030 年減排目標提升至 50-55%，並確定了 2050 年實現碳中和，碳排放要求日趨嚴格。
歐洲自 2009 年以來多次制定碳排放標準，現行的碳排放標準要求 2021 年生產的乘用車碳 排放量需滿足 95g/km。歐盟委員會在 2014 年提出到 2021 年，車企生產的乘用車的碳排放 量需滿足 95g/km，不達標的車企將面臨鉅額罰款。2018 年歐盟委員會進一步明確，在 2021 年的基礎上，2025 年的碳排放量減少 15%；到 2030 年，減少 37.5％，分別降至 81g/km 及 59g/km。2019 年歐盟確定 2050 年實現碳中和的目標，將進一步推動更加嚴格的減排目標， 正在推動 2030 年碳排放在 2021 年的基礎上減少 60%的標準制定。
在日益嚴格的碳排放標準下，新能源汽車替代傳燃油車成為必然趨勢。燃油車的發動機難 以進行本質革新，減排空間有限，新車平均碳排放量在 2015 年下降至 119.5g/km 後，2019 年反而上升至 122.4g/km。要達到上述 95g/km 的碳排放標準，只能大力發展新能源汽車， 提升新能源車的佔比。
美國：民主黨上臺或將推動電動車產業鏈加速升級，促使其重回汽車產業鏈領導地位
拜登就任當日便籤署行政命令，表示重新加入《巴黎氣候協定》，並計劃於 2050 年實現碳中和，有望助推新能源車產業鏈加速升級。根據拜登競選推出的《清潔能源革命和環境 計劃》2，其在氣候領域提出的目標是到 2035 年透過可再生能源過渡實現無碳發電，到 2050 年美國實現碳中和，實現 100%的清潔能源經濟。具體措施包括：恢復電動車全額 7,500 美 金的稅金抵免，取消目前的企業補貼 20 萬輛的銷量上限，加快新能源車推廣，並計劃於 2030 年前在高速公路區域建設超過 50 萬個充電樁等。我們認為民主黨在新能源領域的轉 向有望提升美國對於新能源車的政策支援，助推新能源車產業鏈加速升級。
特斯拉等頭部企業有望助力美國重奪電動汽車製造業的制高點。汽車產業作為美國傳統制 造業的代表之一，二戰以後卻從輝煌走向衰落，我們認為主要是其經受了兩次衝擊：1）20 世紀 70 年代起，全球石油危機使精細化製造的日本汽車市佔率迅速提升，以及 2）2010 年 後德國品牌在中國市場的崛起。根據美國商務部統計，美國汽車行業產值佔 GDP 的比重， 由 1978 年的 1.9%降至 2018 年的 0.8%。我們認為，由於汽車製造業產業鏈條長、上下游相 關行業豐富，汽車產業對 GDP 的貢獻遠大於增加值本身，行業地位尤為重要。我們認為拜 登政府的新能源政策將成為美國電動汽車市場發展的一大推動力，有助於使其在特斯拉等 電動汽車頭部企業的傾力配合下，保持美國高階製造領域的優勢地位。
中國：電動汽車是我國實現汽車產業彎道超車、保障能源安全的必然選擇
汽車工業電動化為我國從汽車產業彎道超車提供契機。工信部在《電動汽車安全指南（2019 版）》中指出，汽車行業正在經歷百年未有之大變局，電驅動相關技術、人工智慧技術和互 聯網技術的快速發展為汽車產業的轉型升級提供了強大的技術支撐，電動化、智慧化、網 聯化是汽車產業轉型重要的發展方向。對於傳統燃油車，中國雖然擁有龐大的汽車供應體 系，但關鍵零部件技術缺失，發動機、變速箱等裝置依賴海外廠商進口，我們認為以電動 汽車為突破口能夠推進我國汽車產業轉型升級，有望實現汽車產業發展的彎道超車。
汽車產業是國民經濟中重要的支柱行業，能夠拉動國內消費增長，其產業鏈長、提供就業機會多，對推動經濟增長、促進社會就業有重要作用。汽車產業能夠拉動我國消費需求及 提供大量就業崗位，根據國家統計局資料，2010 年至 2019 年汽車銷售額佔中國社會零售 總額比重均維持在 10%以上，2019 年汽車新車零售從業人員達到 120.92 萬，占城鎮就業人 數的 10%。同時，由於汽車行業具備高度綜合性，產業鏈涉及國家工業的各個方面，上游 包括髮動機系配件、制動系配件等汽車零部件生產銷售，涵蓋了冶金、橡膠、玻璃、化工 等重要的製造業部門，中游包括整車整合製造及銷售，下游輻射汽車後維修保養、出行服 務等諸多市場。發展汽車產業能夠直接及間接地拉動經濟增加，提供就業崗位。
中國具備市場空間較大、“工程師紅利”等優勢，同時政策落地推動電動汽車發展。由於我 國龐大的人口基數及消費升級趨勢，電動汽車市場空間較大，根據中金公司研究部預測， 2025 年我國電動汽車的出貨量將達到 669 萬輛，佔全球新能源汽車銷量 47%，2021 年至 2025 年年複合增長率達到 35%。同時，中國每年高校畢業生人數持續增長，根據教育部的 資料，2020 年高校畢業生人數達到 874 萬人，為中國發展電動汽車提供了“工程師紅利”， 向產業微笑曲線的兩端延伸。在政府政策的推動下，新能源汽車產業的快速發展成為可能， 根據國務院辦公廳印發的《新能源汽車產業發展規劃（2021-2035 年）》，到 2025 年我國新 能源汽車新車銷售量佔新車總銷量的 20%左右，並完善雙積分制度以補充財政補貼。
中國石油的對外依存度超 70%，能源安全問題有待解決。國際上一般將 50%的石油對外依 存度作為石油能源安全問題的“安全警戒線”3，而根據中國統計局的資料，2019 年中國石 油對外依存度超過 70%，遠超能源安全的要求。目前全球石油分配格局基本固定，且國際 形勢複雜，我國在自身石油生產無法滿足需求的情況下，透過石油貿易和海外份額的方式 獲取石油資源的壓力越來越大。
電動汽車對降低石油依存度，緩解國內石油消耗至關重要。根據自然保護協會資料，2017 年中國道路交通消耗的石油約佔石油消費總量 48%，我們認為，減少汽車石油消耗能夠降 低我國的石油依存度。若採用天然氣能源，我國天然氣儲量同樣較低：根據海關總署資料， 2018 年中國是全球第一大天然氣進口國，2019 年對外依存度達到 43%，難以支撐汽車的能 源需求。而相比之下，我國煤炭儲量較大，能夠實現電力的自給自足，同時還能夠透過核 能、太陽能、風能等方式增加電力供給，電動汽車成為解決能源安全問題的必然選擇。
各國功率密度標準持續提升，碳化矽器件對矽基器件形成替代在即
美國能源部旗下的組織 U.S. Drive 在 2017 年釋出的《電氣電子技術路線圖》4中指出，在 2025 年電控的功率密度需達到 100kW/L，效率應大於 98%；而電機的功率密度需達到 50kW/L， 效率應大於 97%。根據我國工信部發布的《<中國製造 2025>重點技術領域路線圖（2018 年 版）》，在 2025 年，自主電控產品應實現功率密度不低於 25kW/L。我們認為，這個標準制 定的初衷，是因為體積涉及到了汽車有效空間利用和乘客的體驗。
目前電動汽車主要採用矽基器件，但受自身效能極限限制，矽基器件的功率密度難以進一 步提高。在電動汽車的動力單元和控制單元中，變換器和逆變器多采用 Si 基 IGBT 或 MOSFET 作為功率器件。但 Si 材料在高開關頻率及高壓下損耗大幅提升，功率密度已經接近了其性 能極限。我們看到，早期的主流混動車型中，其逆變器功率密度基本在 20kW/L 以下，而採 用了第三代化合物半導體 SiC 材料的逆變器，由於 SiC 具有效率高、尺寸更小和重量更低的 優勢，可以將功率密度大幅提升，我們認為其是 Si 材料未來的理想替代。
效能優勢助推碳化矽器件快速發展，規模普及即將到來SiC 提升電能轉換效率，增加續航里程
續航里程是電動車的一大痛點。結合英飛凌的研究資料，我們認為 SiC 器件可以從導通/開 關兩個維度降低損耗，整體損耗相比 Si 基器件降低 80%以上，實現增加電動車續航里程的 目的。
SiC 材料臨界擊穿電場高，導通電阻低，可降低器件的導通損耗。由於 SiC 的禁頻寬度 （3.3eV）遠高於 Si（1.1eV），因此其漂移區寬度得到大大縮短、可實現的摻雜濃度也 得到提高。在 SiC MOSFET 導通時，正向壓降和損耗都小於 Si-IGBT。根據英飛凌研究， 當負載電流為 15A 時，常溫下 SiC MOSFET 的正向壓降只有 Si IGBT 的一半，在 175℃ 結溫下，SiC MOSFET 的正向壓降約是 Si IGBT 的 80%。
SiC-MOSFET 不存在拖尾電流，載流子遷移率高，降低器件開關損耗。Si-IGBT 模組中會 整合快恢復二極體（FRD），在關斷會存在反向恢復電流及拖尾電流，導致其開關速度 受到限制，從而造成較大的關斷損耗。而 SiC-MOSFET 屬於單極器件，更像一個剛性開 關，不存在拖尾電流，且較高的載流子遷移率（約 Si 的 3 倍）也減少了開關時間，損 耗因此得以降低。根據英飛凌研究，在 25℃結溫下， SiC MOSFET 關斷損耗大約是 Si IGBT 的 20%；在 175℃的結溫下，SiC MOSFET 關斷損耗僅有 IGBT 的 10%。
SiC 助力新能源車實現輕量化
輕量化是整車廠的不懈追求。我們認為 SiC 器件具備高飽和速率、高電流密度、高熱導率 的特點，有利於新能源汽車零部件輕量化的實現。
SiC 材料具備更高的電流密度，相同功率等級下封裝尺寸更小。SiC 具備較高的載流子 遷移率，能夠提供較高的電流密度。在相同功率等級下，碳化矽功率模組的體積顯著 小於矽基模組，有助於提升系統的功率密度。以 IPM 為例，碳化矽功率模組體積可縮 小至矽功率模組的 2/3-1/3。
SiC 能夠實現高頻開關，減少無源器件的體積和成本。SiC 材料的電子飽和速率是 Si 的 2 倍，有助於提升器件的工作頻率；此外，如上文所述，高臨界擊穿電場（10 倍於 Si） 的特性使其能夠將 MOSFET 帶入高壓領域，克服 IGBT 開關過程中的拖尾電流問題，開 關損耗低，提升實際應用中的開關頻率，減少濾波器和無源器件如變壓器、電容、電 感等的使用，從而減少系統體系和重量。在實現相同電感電流的情況下，開關頻率越 高，可以適當降低電感值。
SiC 禁頻寬且具有良好的熱導率，可以減小散熱器的體積和成本。由於 SiC 材料具有寬 禁頻寬度且熱導率高的特點，更容易散熱，器件可以在更高的環境溫度下工作。理論 上，SiC 功率器件可在 175℃結溫下工作。主流電動汽車一般包含兩套水冷系統——引 擎冷卻系統和電力電子裝置的冷卻系統，冷卻溫度分別為 105 和 70℃。如果採用 SiC 功 率器件，可以使器件工作於較高的環境溫度中，有望實現兩套水冷系統合二為一，甚 至採用風冷系統，減少散熱器體積及成本。
快充使得整車電平提高，IGBT 工作電壓恐難滿足需求
實現快充的關鍵是透過增大電流或提升電壓提升充電功率，由於電流提升存在可預見的上 限，高電壓是實現快充的必然趨勢。根據 e-technology 的研究，受到充電插頭及電芯的溫 度限制，即使採用液冷充電插頭，電動車充電也存在 500A 的電流上限，要實現 200kW 以 上的快充功率，電動車必然會從 400V 系統轉向 800V 系統。同時，達到相同功率的情況下， 提升電壓則可以相應降低電流，減少散熱及導線橫截面。根據 e-technology 的估算，以 100kWh 的電池為例，從 400V 電車系統提升為 800V 電車系統，由於電池散熱減重及導線 質量降低可以推動電池實現 25kg 的重量降低，降低電車能耗，提升電車續航里程。
我們認為，若系統電壓（匯流排電壓）從 400V 提高至 800V，需要同時提高半導體器件的耐 壓的水平，650V IGBT 將無法工作，Si MOSFET 的耐壓極限也會明顯被超越，若採用 Si 基器 件，必須使用 1200V IGBT。受限於體積、功耗、散熱等因素，通常情況下 1200V 的 IGBT 模 塊一般服務於工業場景，很難透過車規認證，2018 年英飛凌才推出第七代 IGBT 技術，使 1200V 模組車用成為可能5。但我們認為，SiC 的材料特性優勢有望使其在 800V 系統部署中 更受整車廠青睞，同時，輸出功率的提升也使 SiC 材料成為 800V 系統的理想選擇。
成本經濟性問題有望在未來解決，車用 SiC 需求有望迎來快速成長期
目前，由於受到 SiC 長晶技術壁壘高（如：需要高溫生長及精確控制；長晶速度很慢而不能 像 Si 一樣拉晶；爐體尺寸限制晶圓尺寸不好做大；材料硬度高韌性差容易斷裂）、器件良率 低（如：摻雜工藝要求高、形成歐姆接觸困難）等因素掣肘，因此 SiC 器件高昂的生產成 本阻止了其初期被整車廠大量採用。
以目前的成本來看，新能源車的度電單價（三元、不含稅）價格在 900 元人民幣左右，而 在 2025 年有望降至 560 元左右。假設 400km 續航里程，電池包的價格分別在 42,500 元 /24,000 元左右。若要增加 10%的續航，我們線性外推得到電池包的邊際成本為 4,500 元 /2,400 元。
目前，SiC 器件成本約為矽基器件的 5 倍以上，為當前 SiC 器件難以在中低端車型大規模應 用的主要原因。以 A 級車為例，主逆變器中 IGBT 器件成本約為 1,300 元，若替換為 SiC 則 將會帶來至少 5,000 元以上的成本增加，而同時帶來 5%-10%續航里程的提升。我們測算， 若暫不考慮冷卻系統節省的成本及空間節約帶來的附加值，在新能源車平價目標下，若 SiC 能換取 5%-10%的續航里程增加，則當 SiC 的器件成本將下降至矽基器件的 1 倍時，其經濟 效益有望助推 SiC 在全系列車型全面普及；如圖 18 所示，若採用 SiC 材料能增加電動車 10% 的續航里程，對於車廠來講，單車成本的節約在 1,100 人民幣左右。
小器件大市場，中國車用 SiC 將迎高速成長我們測算，2021 年國內 SiC 器件/模組市場規模為 10 億元/24 億元，2025 年有望達到 62 億 元/78 億元，年複合增速達 58%/35%，迎來高速增長期
功率開關器件在新能源汽車中的應用範圍很廣，其中主要包括主逆變器、直流 DC/DC 轉換 器、車載充電機等。我們以自上而下的方式，以新能源車出貨量為基礎，配合滲透率、SiC 模組/器件單車價值等假設測算，得出 2025 年中國新能源車及周邊應用將帶來 62 億元的 SiC 器件市場空間，78 億元的 SiC 模組市場空間（包含器件成本），2021-2025 年複合增速達 58%/35%。 其中我們的關鍵假設如下：
第一，從成本下降曲線來看，我們認為 SiC 本身的成本下降曲線是線性的，但由於整 體市場需求高漲，上游擴產積極，成本下降可能會呈現加速趨勢，年同比降幅將有望 從低雙位數加速至近 20%；
第二，從車型來看，我們認為到 2025 年 SiC 成本仍然難以下降至 A 級車 Si 基器件的 2 倍水平。中高階乘用車由於具有品牌溢價，成本上升帶來的續航里程增加、輕量化等 附加體驗也更容易被消費者所接受，我們認為 B/C 級車大規模採用 SiC 器件的可能性 大，其中 Tesla 及比亞迪作為現有整車廠中最為積極兩方（根據公開資料，Model 3 及 比亞迪漢車型已經搭載了 SiC 模組的主逆變器），未來 SiC 器件滲透率有望繼續加速。 未來華為、蘋果等大廠及小鵬、蔚來等高階造車新勢力設計的整車也有望大量採用 SiC。 而非豪華品牌 A 級（包含）及以下車型採用 SiC 的可能性很小。考慮到成本更高，對 空間和續航里程敏感度更低等因素，在商用車方面，我們預計 SiC 滲透率將整體低於 乘用車；
第三，從零部件種類來看，主逆變器（Inverter）會先進行 SiC 替換，由於車載充電機 （OBC）、直流轉換器（DC-DC）、快充（Booster）等工作頻率高，從 SiC 高頻效能來看 要優於 Si 基材料，同樣存在較大替換空間；
第四，從器件型別及價值量來看，主逆變器中由於搭載 SiC 模組，半導體價值量最高， 而車載充電機、直流轉換器等部分僅搭載單管器件，整體價值量不及主逆變器。
SiC 襯底及外延合計價值量佔比超 60%，在產業鏈中地位至關重要
以 65nm 製程為例，目前 12 英寸矽片（拋光片）售價僅在 100 美元左右，而最終的晶圓售 價高達 1,500 美元，原因在於 Si 積體電路工藝歷經多次刻蝕、光刻、清洗等前道處理步驟， 在矽片表面製作器件的附加價值量高。而 SiC 僅被用於製造分立器件，其本身工藝難度並不 大（SiC MOSFET 仍是橫向平面工藝器件），襯底及外延質量則從很大程度上決定了最終的器 件效能。根據我們的產業鏈調研，由於 SiC 襯底及外延生長溫度高、速度慢、良率低等原因， 從價值量上看，2020 年 2,500 美元售價的 SiC 晶圓成品中，襯底片價值量約 1,100 美元，外 延片價值量約 500 美元，合計價值量達 1,700 美元，約佔整體晶圓成品價值量的 63%。因 此，我們認為 SiC 產業鏈的上游環節地位至關重要，且從投資回報情況來看，SiC 基襯底的投入產出比要優於 Si，部分企業的投入產出比可以接近 1：1 水平（1 元人民幣的投資對應 1 元年收入），是一個優良的賽道。
結合我們對 SiC 器件市場規模的測算及對襯底/外延部分價值量的假設，我們預計 2025 年中 國本土新能源車用 SiC 襯底/外延片市場規模將達到 26 億/39 億人民幣。
國產廠商全面佈局導電型機高純半絕緣兩類襯底，正努力追趕與海外差距
SiC 襯底主要分為導電型和半絕緣型兩類，新能源車用半導體器件基於導電型碳化矽襯底制 造。具體應用形式來看，導電型 SiC 襯底一般會再生長 SiC 外延層得到 SiC 外延片，主要用 於製造耐高溫、耐高壓的功率器件，應用於新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智慧電網、 航空航天等領域；而在半絕緣型 SiC 襯底上，通常會上生長 GaN 外延層，製得 SiC 基 GaN 外延片，可進一步製成微波射頻器件，應用於 5G 通訊、雷達等領域。
導電型及半絕緣型 SiC 襯底在製作工藝上存在較大差異。在主流的物理氣相傳輸法（PVT） 長晶工藝中，半絕緣型 SiC 襯底的生長對原材料碳化矽粉末純淨度要求高，同時需要在生長 過程中加入釩雜質，摻雜工藝難度大。而導電型襯底相對容易獲得，但需要對摻雜有較好 的控制，且功率器件需要在較大襯底上生產才具備經濟效益，SiC 單晶擴徑問題也是壁壘。 除了主流 PVT 生長方法外，我們也看到一些新工藝的進步，目前日本電裝（DENSO）等企 業正在利用高溫化學氣相沉積方法（HTCVD）將高純氣態碳源和矽源在高溫結合，來得到 高阻值的碳化矽單晶，且生長速率能達到 1.0mm/h-3.0mm/h，值得長期關注。但綜合考慮 成本、良率及工藝成熟度等問題，我們認為目前 PVT 方法仍為市場主流技術。
碳化矽襯底市場以海外廠商為主導，中國企業市場份額現較小。碳化矽襯底產品的製造涉 及裝置研製、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測等諸多環節，需要長 期的工藝技術積累，存在較高的技術及人才壁壘。自 1955 年首次在實驗室成功製備碳化矽 單晶以來，美國、歐洲、日本等發達國家與地區不斷創新碳化矽晶體的製備技術與裝置， 形成了較大優勢；而中國碳化矽晶體的研究從 20 世紀 90 年底末才起步，2000 年以後開始 工業化生產的探索。根據 Yole Development 資料，2020 年上半年 Wolfspeed（Cree 全資子 公司）市佔率達到 45%以上，國內龍頭天科合達和山東天嶽的合計市場份額不到 10%。
山 東天嶽、爍科晶體（中電科孵化）、河北同光（中科院半導體所孵化）現有主要產品為高純 半絕緣襯底，而天科合達（中科院物理所孵化）、世紀金光主要產品為導電型襯底。 當前中國企業與 Wolfspeed 在技術研發上仍有較大差距，但差距正在逐步縮小，8 英寸碳 化矽襯底研發及量產落後 3 年。以頭部企業天科合達/世紀金光為例，根據天科合達招股書 披露，公司於 2006 年開始小批次生產 2 英寸碳化矽襯底，分別於 2017 年及 2019 年開始大 批次生產導電型及絕緣型 4 英寸碳化矽襯底，2020 年實現 6 英寸碳化矽襯底大批次生產。
而根據公開資料，世紀金光於 2020 年實現 6 英寸碳化矽襯底的量產6。對比國際一線廠商， 天科合達 2 英寸產品落後 16 年（國際廠商 19 世紀 90 年代開始），4 英寸落後 7 年（國際 廠商 2010 年開始），6 英寸時間進一步縮短至 5 年（國際廠商 2015 年開始）。Wolfspeed 於 2019 年 10 月推出 8 英寸碳化矽襯底樣品，並計劃於 2022 年量產，而天科合達於 2020 年 1 月開始進行研發，計劃於 2022 年 6 月完成研發，屆時中美兩國差距有望進一步縮小。
2025 年導電型襯底片國內需求將達到 113 萬片，國內廠商現有規劃產能仍然不足
結合我們對 2025 年器件市場空間及單晶圓售價假設，我們測算出 2025 年中國新能源車及 快充樁對 SiC 導電型襯底的年需求量高達 79 萬片 6 寸晶圓。而由於 SiC 長晶、外延、前道 技術處理綜合良率大幅不如矽基器件，目前良率水平僅在 50%左右（我們預計 2025 年有望 提升至 70%），實際 SiC 導電型襯底年產能需求將超過 113 萬片 6 寸晶圓，市場空間十分可 觀。根據我們產業鏈調研的不完全統計，目前中國本土SiC襯底供應商已經有6家投入量產， 有公開資料披露的 2025 年產能規劃合計基本與屆時新能源車及快充樁需求相當。但考慮到 新能源發電、工業電源等應用場景中 SiC 仍然對 Si 基器件有大量替換空間，我們認為國內 廠商現有導電型 SiC 產能規劃仍存在缺口。
相關企業分析（詳見報告原文）SiC 產業鏈主要包含以下四個環節：襯底生長、外延生長、器件設計及製造（或分工完成， 採用一體化的 IDM 模式）。中國本土目前企業已經實現了對產業鏈的全覆蓋佈局，但在較大 尺寸導電型襯底（6 寸及以上）、MOSFET 器件設計製造上與海外同業者相比仍存在較大進 步空間。
晶盛機電、北方華創、露笑科技、斯達半導、三安光電、聞泰科技、新潔能。
（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關資訊，請參閱報告原文。）