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資料顯示,中國NAND晶片消費規模從2008年的45.9億迅速增長到了2015年的939.2億元。2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經高達47.89億顆與35.18億顆(2Gb equiv),分別佔全球產能19.2%與20.6%。

在全球DRAM市場,三星、海力士、美光三家巨頭壟斷了90%以上的市場,寡頭壟斷的格局使得下游客戶面臨儲存晶片漲價毫無議價能力。

為大力發展積體電路,2014年6月,國務院印發《國家積體電路產業發展推進綱要》,將半導體產業新技術研發提升至國家戰略高度。同年9月,千億級國家大基金正式設立。

正是在這種情況下,長江儲存科技有限責任公司(長江儲存)應運而生,於2016年7月26日在武漢東湖新技術開發區登記成立。

成立機緣

2015年清華紫光向美光科技發起了230億美元的收購邀約,被美國政府否了。之後雖然又發起了投資協議,最後也已失敗告終。

不甘心的清華紫光決定將目光放到本土企業,在收購武漢新芯積體電路製造有限公司(“武漢新芯”)多數股權後,與國家積體電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業和省科投共同出資,成立了長江儲存。

註冊資本為386億元人民幣,其中紫光出資197億元人民幣,佔股51.04%。

中國儲存器三駕馬車之一

2016年12月底,由長江儲存主導的國家儲存器基地正式動土,預期分三個階段,共建立三座3D NAND Flash 廠房,首期投入超過240億美元。

2017年2月,長江儲存與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND儲存器研發專案取得新進展,這是中國儲存晶片向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。

同年9月,第一階段廠房提前完成封頂。

兩個月的功夫,也就是11月中旬,長江儲存已成功研發32層3D NAND Flash晶片,成為打破國外半導體廠商三星、海力士、美光、東芝等技術壟斷的小小火苗。

這超乎預期的研發進度代表著中國大陸 3D NAND研發邁入了新的里程碑。

2018年4月,長江儲存對外披露了令人振奮的好訊息:中國產3D NAND 已拿下第一筆訂單,總計10776顆晶片!

既然有了訂單,機器必然不能掉鏈子。

一個月之後長江儲存購買的首批自荷蘭ASML價值7200萬美元、193nm沉浸式光刻機抵達武漢正式進場安裝。

標誌著國家儲存器基地從廠房建設階段進入量產準備階段,也標誌著長江儲存32層NAND 即將進入量產。

同年8月,作為NAND行業新人的長江儲存,推出全新3D NAND架構——Xtacking 。該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來前所未有的I/O高效能,更高的儲存密度以及更短的產品上市週期。

今年9月2日,長江儲存宣佈,公司已開始量產基於Xtacking®架構的64層256Gb TLC 3D NAND快閃記憶體,以滿足固態硬碟、嵌入式儲存等主流市場應用需求。

長江儲存64層3D NAND快閃記憶體是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的快閃記憶體產品,擁有同代產品中最高的儲存密度。

既然已經有32層到達了64層,那麼按照正常流程,下一個目標96層?

No no!

儘管3D NAND各廠商都已研發至96層,但一路勇猛追擊的長江儲存野心可不止於此。

早在2018年,長江儲存的技術路線就是——跳過96層快閃記憶體,直接在2020年左右量產128層堆疊產品。為了儘快縮短與國外廠商的差距,長江儲存採取了跳躍式發展。

摩爾定律放緩,為國內企業帶來了巨大的機會。

目前國內企業都在奮力追趕,由長江儲存、專注於行動式記憶體的合肥長鑫以及致力於基型記憶體的福建晉華,共同構成了中國儲存器市場的三駕馬車。

如果長江儲存明年預期完成目標,勢必將會給快閃記憶體市場帶來不小的衝擊,讓我們拭目以待吧!

看心情|不雞湯|都是半導體

“小羅羅”

一個不嚴肅的行業思考者,說大家都能聽得懂的半導體知識

最新評論
  • 1 #

    寧願十年虧損也要堅持下去。

  • 2 #

    風大雨小,自吹自捧。

  • 3 #

    對華技術圍堵,,,平時要財,戰時要命。

  • 4 #

    革命尚未成功,同志仍需努力

  • 5 #

    合肥長鑫也快量產了

  • 6 #

    多虧美國的制裁,才有中國不斷的強大

  • 7 #

    相信國家力量,加油。一定購買大力支援,中國產手機儘快搭載,哪怕是千元機

  • 8 #

    必須瞄準最高水平搞跨越式發展

  • 9 #

    點的突破,積累的一定程度就是面

  • 10 #

    晉華被臺灣人坑了吧

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