預計到2029年，化合物功率半導體市場將增長五倍以上。對於5G裝置，電動汽車和工業設施（包括太陽能設施）中的SiC和GaN等化合物半導體的使用需求正在急劇增加。

從2021年開始，化合物功率半導體市場將迅速增長。

包括SiC（4H-SIC）和GaN在內的下一代化合物功率半導體市場的增長現在已經開始。市場研究公司Yole預測，到2024年，SiC功率半導體市場將以29％的複合年增長率增長，達到20億美元。相關的受益方應該包括美國的Cree，意法半導體和Veeco，以及韓國的RFHIC。

晶圓生產技術對於GaN和SiC半導體的生產至關重要。

我們注意到，化合物半導體已開始用於5G裝置，工業設施，電動汽車和太陽能等行業。近來，GaN電晶體已被大量用於智慧電話和膝上型電腦的充電介面卡。此外，現代汽車集團在其最近宣佈的E-GMP中採用了SiC半導體。

在化合物半導體的生產中，晶圓生產技術很重要。透過使用有機金屬CVD（MOCVD）裝置在襯底上生長GaN外延層來製造GaN半導體。SiC外延片是透過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而製成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生產。在韓國，收購了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門的SK Siltron正在對該行業進行投資。SiC晶圓現在供不應求。

Cree計劃到2024年將SiC產能提高30倍，併為其GaN業務投資10億美元。ST Micro的SiC晶片組相關銷售額在2019年達到2億美元，目標是到2025年達到10億美元。