IT House News 9 月 12 日消息，康奈爾大學的科學家最近在應用物理快報上發表了一篇論文，利用改進的家用微波製造 2nm 半導體工藝取得了突破。

隨著半導體工藝的不斷縮小，硅必須摻雜越來越高濃度的磷，以促進準確和穩定的電流傳輸。此時，隨著業界開始量產 3nm 組件，傳統的退火方法仍然有效。但是，為了進一步提高精度，需要確保磷濃度在硅中的平衡溶解度以上。除了實現更高的濃度水平外，一致性對於製造功能性半導體材料也很重要。

臺積電此前曾推測，可以在退火（加熱）過程中使用微波來提高磷的摻雜濃度。然而，以前的微波加熱源往往會產生不利於加熱均勻性的駐波。簡而言之，傳統的微波退火設備對內容物的加熱不均勻。

臺積電支持康奈爾大學的科學家進行微波退火研究。康奈爾大學本週早些時候發表了這篇論文，得出的結論是，由於先進的微波退火方法，科學家們“成功地克服了高度穩定摻雜對溶解度的基本要求”。

論文題目為《微波退火超越溶解度極限的磷摻雜硅納米片的高效穩定活化》。該技術與最新的納米片晶體管技術密切相關，臺積電表示將使用 2nm 納米片製造全柵極場效應晶體管 (GAAFET)。

IT House 瞭解該論文的主要作者、材料科學與工程系研究教授 James Hwang 告訴康奈爾新聞博客： 。”

這項研究將繼續進行。獲得了額外的資金。