24款適用於工業裝置及大型消費電子裝置的－40V和－60V耐壓產品全新上線

全球知名半導體制造商ROHM（總部位於日本京都市）推出非常適用於FA和機器人等工業裝置以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支援24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品，採用了第五代新微米工藝，實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。－40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%、－60V耐壓產的導通電阻較以往產品降低52%，有助於實現裝置的節能性和小型化。

此外，透過最佳化元件結構並採用有利於改善電場集中問題的新設計，進一步提高了產品品質，並使普遍認為相互矛盾的產品可靠性和低導通電阻兩者同時得到兼顧，從而有助於追求高品質的工業裝置長期穩定執行。

本系列產品已於2020年8月份開始暫以月產100萬個的規模投入量產（樣品價格　200日元/個，不含稅），產品可透過AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC網售平臺購買。前期工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。

未來，ROHM將持續擴充封裝陣容，以支援更廣泛的應用。同時，還計劃推進車載級產品的開發。除此以外，隨著人們利用網路的“雲端”工作模式和生活模式的快速發展，需要進一步豐富適用於需求日益擴大的資料中心伺服器以及5G基站的產品陣容。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎上，還將持續推進更高效率的Nch MOSFET*2開發工作，為減少應用產品的設計工時並提高可靠性和效率做出貢獻。

近年來，在工業裝置和消費電子裝置等領域，採用高輸入電壓的電源電路來實現高階控制的客戶越來越多，對於MOSFET產品，除了低導通電阻的要求之外，也表現出對高耐壓效能與日俱增的需求。

MOSFET產品分為Nch與Pch兩種，而高效率的Nch應用更為普遍，但在高邊使用Nch MOSFET時，需要柵極電壓高於輸入電壓，因此就存在電路結構變得更復雜的問題。而使用Pch MOSFET則可以用低於輸入電壓的柵極電壓進行驅動，因此可簡化電路結構，同時還有助於減輕設計負擔。

在這種背景下，ROHM採用第五代微米工藝，成功開發出可支援24V輸入、－40V/－60V耐壓的低導通電阻Pch MOSFET。

新產品特點

1．實現業界超低導通電阻

新產品採用ROHM第五代微米工藝技術，使柵極溝槽結構*4較ROHM以往產品更為細緻精密，並提高了電流密度，從而在支援24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領域中，實現了極為出色的單位面積低導通電阻。－40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%，－60V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低52%，非常有助於應用裝置的節能性與小型化。

2．採用新設計，品質顯著提升

新產品充分運用了迄今為止積累的可靠性相關的技術經驗和訣竅，優化了元件結構，同時採用新設計，改善了最容易產生電場集中問題的柵極溝槽部分的電場分佈，實現了品質的大幅度提升。在不犧牲導通電阻的前提下，又成功提高了原本與之存在此起彼消關係的可靠性，從而可改善在高溫偏壓狀態下的元件特性劣化問題，有助於追求更高品質的工業裝置實現長期穩定執行。

3．豐富的產品陣容，有助於減少眾多應用產品的設計工時並提高可靠性

此次推出的新產品包括－40V和－60V耐壓的共24款產品，適用於FA裝置、機器人以及空調裝置等應用。未來將繼續擴充套件更豐富的封裝陣容，以支援工業裝置領域之外的更廣泛應用，同時還計劃開發車載級產品。此外，採用新結構的新一代工藝不僅應用在Pch MOSFET產品上，還會應用在Nch MOSFET產品上並擴大其產品陣容，為更多的應用產品減少設計工時和提高可靠性貢獻力量。

產品陣容

應用示例

術語解說

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

金屬－氧化物－半導體場效應電晶體，是FET中最常用的結構。用作開關元件。

*2) Pch MOSFET / Nch MOSFET

Pch MOSFET：透過向柵極施加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。可用比低於輸入電壓低的電壓驅動，因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET：透過向柵極施加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電阻

使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則執行時的損耗（電力損耗）越少。

*4) 溝槽結構

溝槽（Trench）意為凹槽。是在晶片表面形成凹槽，並在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實現微細化。