PN8611整合超低待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極體、CS電阻及650V高雪崩能力智慧功率MOSFET，用於高效能、外圍元器件超精簡的充電器、介面卡和內建電源。PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內建高壓啟動電路，可實現晶片空載損耗（230VAC）小於50mW。

PN8611是一款全電壓實現12V1A輸出的電源介面卡晶片，PCBA尺寸：50.0mm*38.0mm*16.0mm，12W功率輸出，待機功耗<75mW，平均效率：>83.26%，可滿足CoC V5 Tier 2，全電壓可實現±3%的CC/CV輸出精度，具有市電異常保護，輸出短路、VDD過壓、FB上電阻異常、肖特基短路、過溫等保護功能。

12v1a介面卡方案亮點：

基於PN8611的12V1A介面卡方案，在BOM精簡至21顆元器件的情況下，方案依然可滿足CoC V5 Tier 2能效要求且安規、EMC餘量充足，實乃應對12V1A介面卡激烈競爭中的一把利刃，驪微電子提供更多Demo的圖紙、BOM、變壓器設計、測試資料、應用要點等詳細資料。>>