不久前，美國“國家人工智慧安全委員會”曾公佈了一項長達756頁的年度報告，這份報告提到了美國不宜過度依賴臺積電。該報告指出，一旦兩岸統一，美國恐將怕要失去半導體技術優勢，美國在晶片技術上可能從領先中國2代，變成落後中國2代。作為美國國家級別的智庫，這份報告透露出的含義不言而喻，也說明了臺灣半導體行業在國際當中的地位。近日，日經中文網傳出一個訊息，引起了半導體行業的廣泛關注，而這次卻與中國臺灣有關。

據悉，日本產業技術綜合研究所與中國臺灣半導體研究中心合作研發出了新一代場效應晶體，此前的電晶體相比，新的CFET結構電晶體效能高、面積小，有助於製造2nm以下線寬的新一代半導體，所謂“CFET結構”，可以理解為晶片中電晶體的堆疊和佈局形狀，其效能直接決定了晶片的製程是7nm還是5nm，如果這次新的CFET結構晶體被廣泛認可，預期將會規劃應用在2024 年後的新一代先進半導體上面。

日本產業技術綜合研究所對此表示，相關技術在世界上是首次，規劃未來3 年內向民間企業轉讓技術，實現商用化。在晶片領域，臺灣不管是代工、還是封測，都是全球第一，掌握著很多晶片企業的命脈。尤其是臺積電包攬了54%的份額，而聯電排名已超過格芯，排全球第3了，拿下了7%的份額，而整個臺灣地區也佔了全球64%左右的份額，這個比例可謂是相當的驚人。事實上，全世界能夠研發5nm晶片的國家和地區屈指可數。

除了臺灣地區以外，也只有韓國和美國能夠研發5nm晶片了，但臺灣已經成功完成5nm晶片的量產，正準備進入3nm晶片製程的研發之中。相比較之下，大陸目前的中芯國際還才進入了14nm晶片製程的量產，7nm晶片要在近兩年才可能實現大批次的生產，更不用說5nm晶片了。據去年底梁孟松在辭職信上透露的資訊披露，中芯國際的7nm技術的開發已經完成，預計2021年4月就可以馬上進入風險量產。

而5nm和3nm的最關鍵、也是最艱鉅的8大項技術也已經有序展開， 只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段。大陸晶片因為起步較晚，所以與臺灣和美國相比有一定差距，但大陸在某些晶片技術發展道路上所下的氣力不可謂不大，投入的資金也不可謂不多，並且取得了一定的成效，雖說像2nm這樣晶片可能需要很長一段時間才能實現，但只要在關鍵核心領域實現重大突破，那麼還是有希望趕上國際進度的。/ZBJ