自從單晶矽電池應用了PERC、TOPCON、HJT技術而是光電轉換效率大幅提升後，多晶矽片就被光伏電池廠摒棄。多晶矽鑄錠廠限於停頓。許多多晶矽廠開始進行鑄錠單晶的試驗，但出來的鑄錠單晶有兩個大問題，一個是朋友不上多晶在矽錠的外圍大量存在，矽錠中部少數區域也有不少；第二個問題是矽錠的位錯率很高（往往達到十萬級/平方釐米以上），比直拉單晶的位錯率高出了兩個數量級。這些問題導致鑄錠單晶不僅成品率低（<50%），而且單晶部分的轉換效率也低。因而沒有形成產能的經濟性。

這就是為什麼此前的鑄錠單晶被稱為“類單晶”或“準單晶”的原因。目前這些多晶鑄錠的廠家因長期解決不了這個問題，也逐步放棄了鑄錠單晶的嘗試，要麼賣掉裝置，開始購買直拉單晶裝置，要麼等待觀望，看多晶矽片有無提高效率的可能，儘管無論從理論上還是實際上，多晶矽片是不可能達到單晶矽片的轉換效率的。

其實，從理論上來說，鑄錠單晶是完全可以解決上述兩大問題的。關鍵是要對原多晶鑄錠裝置和晶體生長工藝做出關鍵和實質的改進。而這些改進僅看多晶鑄錠廠家是無法完成的。

普智晶體生長工作室在鑄錠單晶上進行了長達十二年的深入研究。首先，從晶體生長理論上找到了在鑄錠的環境條件下，完全杜絕多晶形核和生長的方法，其次研究並設計了專門為鑄錠單晶生長的熱場，該熱場能夠在多晶鑄錠爐內部使用。也就是說，只要對對原有的多晶矽鑄錠爐進行熱場的改造，就可以鑄出完美的與直拉單晶質量完全一樣的單晶，從而，使鑄錠單晶甩掉“類單晶”或“準單晶”的帽子，成為完全適合光伏應用的新的單晶生長工藝。由於鑄錠單晶的成本比直拉單晶低50%以上，因此，普智的鑄錠單晶工藝將成為世界上最有競爭力的單晶生長工藝，有望在光伏領域大放異彩，甚至再次淘汰掉直拉單晶工藝。