時間常數

在電路原理中，某個點的電壓公式由上圖可知。

對該公式初始為0時，t時時刻為0-1電平轉換的中間時刻，即V(t)=1/2*VDD時

對公式取以E為底的對數，求時間t得到，上圖中下面的公式。

代入到CMOS中，

1、V無窮大取值為：VDD或VSS；

2、V(0)取值 為：0

3、V(t)取值為：1/2*VDD

最後推出t=RCIn2

其中：R是作為上級是電壓源的MOS管的內阻，隨VDD的增加而變小。

C是作為下級負載的MOS管的g-b間的寄生電容。

一般情況下，R、C這兩個值在MOS管的器件手冊上可以查到。

功耗

MOS管的動態引數，除了RC時間常數，還有功耗。如下圖：

而動態功耗的計算方法，如下圖所示：

由公式可以看出來，MOS管的功耗和電源VDD的平方成正比，前面講MOS管的噪聲容限時，發現提高VDD可以擴大噪聲容限的範圍。

但是那只是單次的，而這裡功耗卻是平方級增大。

所以，不能為了噪聲而犧牲管子的功耗，否則易燒掉器件。