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半導體產業中我們經常會看到某型裝置或某種材料在供應晶圓廠前要經過嚴格的驗證，而且一旦透過驗證，晶圓廠很難輕易更換相關供應商，其最終目的還是為了良率。這種嚴格認證的模式抬高了供應商進入的壁壘，也導致了行業壟斷的特徵。實際上無論裝置還是材料，壟斷的案例比比皆是。

光刻膠在被晶圓廠大量使用之前同樣要經過嚴格的驗證，通常評估驗證的內容分兩部分：第一是判斷材料是否符合晶圓廠的基本要求，包括供應的穩定性、質量控制的可靠性等；第二是評估材料的工藝引數和基本性質，包括與有機溶劑的相容性、光刻膠在較高溫度下儲存的穩定性等：

光刻膠驗證的最後一步是評估光刻膠的光刻效能，這種效能的評估是針對具體光刻層的要求進行的。具體到某一光刻層，主要評估的是光刻膠的曝光條件、工藝效能及與本光刻層相關的效能要求。比如在工藝效能評估中需要對光刻膠能容忍的線寬偏差、曝光能量變化範圍、晶圓上圖形尺寸與對應掩模尺寸之比等進行評估：

上述評估內容僅是部分，實際上晶圓廠驗證一款光刻膠的內容和過程更為複雜。總而言之光刻膠的驗證不是一朝一夕的事情。