近年來，雖然國內加大了科研投入和資源傾斜，但技術突破和人才培養不是一朝一夕就能看到成果的，特別是在基礎研究領域還相對薄弱的情況下，要實現技術突破更是難上加難，所以就導致了目前中國被多項關鍵技術“卡脖子”，光刻機的研究即是其中之一。而在半導體領域，大尺寸半導體矽單晶材料是制約我國積體電路產業的另一項“卡脖子”的技術，現在悄然迎來了突破。

國內首臺新一代大尺寸積體電路矽單晶生長裝置

12月23日，由西安理工大學和西安奕斯偉裝置技術有限公司共同研製的國內首臺新一代大尺寸積體電路矽單晶生長裝置在西安實現一次試產成功。

隨著科技的發展，積體電路矽片尺寸逐步增大，製程工藝越來越先進，這對刻蝕裝置也提出了更高的要求。而作為刻蝕機中的重要生產材料，大尺寸矽單晶體顯然有著更加廣闊的發揮空間，極具市場競爭力。而國內目前大尺寸矽單晶幾乎全部依賴進口，近幾年，國內興建眾多晶圓廠，而如果缺少矽單晶，將導致無米下鍋的困境。為了降低進口依賴程度，彌補矽單晶的供應缺口，就需要發展國產技術和裝置生產出合格的大尺寸矽單晶，保障國內矽晶圓供應不會被“卡脖子”。

2018年起，西安理工大學劉丁教授團隊與西安奕斯偉矽片技術有限公司緊密協作。近年來，該研發團隊以我國半導體產業發展的重大需求為導向，緊密圍繞大尺寸矽單晶生長關鍵技術裝備和核心工藝、晶體生長過程建模與熱系統設計製造、關鍵變數檢測原理與資訊處理技術、晶體生長控制理論與技術方法、系統整合與矽片品質管控、成果的產業化應用等方面取得了重大突破，獲得了一批重要的標誌性成果。在密集的技術攻關後，終於成功研製出直徑300毫米、長度2100毫米的高品質矽單晶材料，實現了採用自主研發國產裝備拉制成功大尺寸、高品質積體電路級矽單晶材料的突破。

如果科技發展不能滿足國內生產需要，最終只會被外部技術形成壟斷，不利於國內相關產業鏈的健康發展，因此，積極投入基礎研究、重視產學研相結合，不斷創新，實現彎道超車才能自立自強。