CdSe/ZnS量子點垂直腔半導體鐳射器（QD VCSEL)憑藉高增益、低閾值電流、片上整合度高、光譜單色性好等優點在諸多領域極具應用前景。由於QD VCSEL在工作過程中會產生大量的焦耳熱，並且需要高效的載流子注入能力，因此在電泵浦狀態下實現QD VCSEL的難度係數較大；此外，微腔鐳射器的光學腔設計直接影響駐波的空間分佈，影響模式增益、閾值電流及鐳射功率。為了製備可以在電泵浦狀態下實現激射的CdSe/ZnS QD VCSEL，首先要保證其光學腔設計的合理性，因此有必要研究光泵浦條件下QD VCSEL的載流子複合動力學及光子輸運。

基於Crosslight公司先進的半導體模擬設計平臺，我司技術團隊開發出了CdSe/ZnS QD VCSEL計算模型，實現了光泵浦條件下的CdSe/ZnS QD VCSEL(如下圖所示)。此模型能夠幫助研究人員快速理清影響QD VCSEL激射過程的諸多因素，為分析器件物理提供了重要的參考價值，對於製備高效的QD VCSEL有著重要的指導意義。

圖：在波長500 nm激勵源下，CdSe/ZnS QD VCSEL的光輸出功率圖。